Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: 10 2009 021 486.0 (Status: anhängig/in Kraft, Stand am: 4. August 2025)

Stammdaten
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTAnhängig/in Kraft
21Aktenzeichen DEDAKZ10 2009 021 486.0
54Bezeichnung/TitelTIVerfahren zur Feldeffekttransistor-Herstellung
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)		 H10D 84/85 (2025.01)
51IPC-Nebenklasse(n)ICS
(ICSV)		 H10D 30/01 (2025.01)
22Anmeldetag DEDAT15.05.2009
43OffenlegungstagOT18.11.2010
Veröffentlichungstag der ErteilungPET04.07.2013
71/73Anmelder/InhaberINHTessera Advanced Technologies, Inc. (n. d. Ges. d. Staates Delaware), San Jose, Calif., US
72ErfinderINCarter, Richard, 01097 Dresden, DE; Trentzsch, Martin, 01237 Dresden, DE; Beyer, Sven, 01099 Dresden, DE; Pal, Rohit, Fishkill, N.Y., US
74VertreterVTRPatentanwälte Wallach, Koch, Dr. Haibach, Feldkamp, 80339 München, DE
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE102009021486A1
Recherchierbarer Text: DE102009021486A1
Originaldokument: DE102009021486B4
Recherchierbarer Text: DE102009021486B4
Zustellanschrift Popp, LL.M., Eugen, Dr., 80538 München, DE
Inländische Priorität beansprucht inPRNCIPCT/US2010/034164
FälligkeitFT
FG		31.05.2026
Jahresgebühr für das 18. Jahr Gebühren für Patentschutz
Zuständige Patentabteilung 33
57ZusammenfassungABEs werden komplexe Gateelektrodenstrukturen hergestellt, um eine Deckschicht mit einer gewünschten Sorte vorzusehen, die in das Gatedielektrikumsmaterial vor dem Ausführen einer Behandlung zum Stabilisieren des empfindlichen Gatedielektrikumsmaterials verteilt wird. Auf diese Weise können komplexe Metallgateelektrodenstrukturen mit großem ε auf der Grundlage geringerer Temperaturen und kleinerer Anfangskonzentrationen für eine schwellwerteinstellende Sorte im Vergleich zu konventionellen Strategien hergestellt werden. Ferner kann ein einzelnes metallenthaltendes Elektrodenmaterial für beide Arten von Transistoren aufgebracht werden.
56Entgegenhaltungen/ZitateCT DE112006001809T5 (DE 11 2006 001 809 T5)
US020090098693A1 (US 2009 / 0 098 693 A1)
US020080237604A1 (US 2008 / 0 237 604 A1)
EP000001531496A2 (EP 1 531 496 A2)
56Entgegenhaltungen/Zitate NPLCTNPHarris, H. Rusty [et al.]: Band-Engineered Low PMOS VT with High-K/Metal Gate Featured in a Dual Channel CMOS Integration Scheme. In: Symp. VLSI Techn. 2007, Tech. Dig., S. 154/155
43ErstveröffentlichungstagEVT18.11.2010
Anzahl der Bescheide 3
Anzahl der Erwiderungen 3
Erstmalige Übernahme in DPMAregisterEREGT27.05.2011
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT12.06.2025
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)
  • 12.06.2025
    • Fälligkeit: geändert
  • 11.06.2025
    • St.36: geändert (technische Änderung)
  • 02.01.2025
    • IPC-Hauptklasse: geändert
    • IPC-Nebenklasse(n): geändert
    • Verfahren: Klassifikationsänderung, Klassifikationsänderung - Hauptklasse, 22.11.2024: neu
  • 06.08.2024
    • St.36: geändert (technische Änderung)
  • 08.06.2024; 14.06.2023; 15.06.2022; 11.06.2021; 06.08.2020; 08.06.2019; 04.05.2019; 27.12.2018; 21.11.2018; 17.05.2018; 27.05.2017; 26.05.2016; 27.01.2016; 29.05.2015; 25.03.2015; 06.07.2014; 10.06.2014; 23.05.2014; 03.05.2014; 02.03.2014; 25.02.2014; 09.01.2014; 21.11.2013; 03.10.2013; 07.08.2013; 09.07.2013; 04.07.2013; 07.06.2013; 24.05.2013; 14.05.2013; 01.03.2013; 28.02.2013; 27.02.2013; 26.02.2013; 24.01.2013; 23.01.2013; 17.10.2012; 01.09.2012; 31.08.2012; 05.06.2012; 25.05.2012; 26.10.2011; 17.07.2011; 09.07.2011; 01.06.2011; 31.05.2011
    • Historiendaten für diese(n) Zeitpunkt(e) nicht vorhanden
  • 27.05.2011
    • Erstmalige Übernahme in DPMAregister
Verfahrensdaten
Nr.VerfahrensartVerfahrensstandVerfahrensstandstagVeröffentlichungsdatumAlle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 15.05.2009  Details anzeigen
2 Prüfungsverfahren Prüfungsantrag wirksam gestellt 15.05.2009  Details anzeigen
3 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 11.12.2009  Details anzeigen
4 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 15.07.2010  Details anzeigen
5 Publikationen Offenlegungsschrift 18.11.2010 18.11.2010 Details anzeigen
6 Prüfungsverfahren Prüfungsbescheid 31.08.2012  Details anzeigen
7 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 12.10.2012  Details anzeigen
8 Prüfungsverfahren Prüfungsbescheid 23.01.2013  Details anzeigen
9 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 20.02.2013  Details anzeigen
10 Prüfungsverfahren Erteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung 28.02.2013  Details anzeigen
11 Publikationen Patentschrift 04.07.2013 04.07.2013 Details anzeigen
12 Prüfungsverfahren Patent rechtskräftig erteilt 05.10.2013 09.01.2014 Details anzeigen
13 Vertreteränderung Änderung des Vertreters 20.11.2018 27.12.2018 Details anzeigen
14 Anmelder-/Inhaberänderung Änderung des Anmelders/Inhabers 20.11.2018 27.12.2018 Details anzeigen
15 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 22.11.2024 02.01.2025 Details anzeigen
Verfahrensansicht Vorverfahren (Nr.: 1)
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VerfahrensartVARTVorverfahren
VerfahrensstandVSTDie Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung
VerfahrensstandstagVSTT15.05.2009
Verfahrensansicht Prüfungsverfahren (Nr.: 2)
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VerfahrensartVARTPrüfungsverfahren
VerfahrensstandVSTPrüfungsantrag wirksam gestellt
VerfahrensstandstagVSTT15.05.2009
Antrag Dritter Nein
EingangstagAEGT15.05.2009
Verfahrensansicht Vorverfahren (Nr.: 3)
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VerfahrensartVARTVorverfahren
VerfahrensstandVSTDas Vorverfahren ist abgeschlossen
VerfahrensstandstagVSTT11.12.2009
Verfahrensansicht Prüfungsverfahren (Nr.: 4)
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VerfahrensartVARTPrüfungsverfahren
VerfahrensstandVSTErwiderung auf Prüfungsbescheid
VerfahrensstandstagVSTT15.07.2010
Verfahrensansicht Publikationen (Nr.: 5)
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VerfahrensartVARTPublikationen
VerfahrensstandVSTOffenlegungsschrift
VerfahrensstandstagVSTT18.11.2010
HeftnummerHN46
JahrPJ2010
VeröffentlichungsdatumVT18.11.2010
PublikationsartPARTSchriften
TeilHTTeil 2
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE102009021486A1
Recherchierbarer Text: DE102009021486A1
Verfahrensansicht Prüfungsverfahren (Nr.: 6)
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VerfahrensartVARTPrüfungsverfahren
VerfahrensstandVSTPrüfungsbescheid
VerfahrensstandstagVSTT31.08.2012
Verfahrensansicht Prüfungsverfahren (Nr.: 7)
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VerfahrensartVARTPrüfungsverfahren
VerfahrensstandVSTErwiderung auf Prüfungsbescheid
VerfahrensstandstagVSTT12.10.2012
Verfahrensansicht Prüfungsverfahren (Nr.: 8)
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VerfahrensartVARTPrüfungsverfahren
VerfahrensstandVSTPrüfungsbescheid
VerfahrensstandstagVSTT23.01.2013
Verfahrensansicht Prüfungsverfahren (Nr.: 9)
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VerfahrensartVARTPrüfungsverfahren
VerfahrensstandVSTErwiderung auf Prüfungsbescheid
VerfahrensstandstagVSTT20.02.2013
Verfahrensansicht Prüfungsverfahren (Nr.: 10)
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VerfahrensartVARTPrüfungsverfahren
VerfahrensstandVSTErteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung
VerfahrensstandstagVSTT28.02.2013
Verfahrensansicht Publikationen (Nr.: 11)
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VerfahrensartVARTPublikationen
VerfahrensstandVSTPatentschrift
VerfahrensstandstagVSTT04.07.2013
HeftnummerHN27
JahrPJ2013
VeröffentlichungsdatumVT04.07.2013
PublikationsartPARTSchriften
TeilHTTeil 3
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE102009021486B4
Recherchierbarer Text: DE102009021486B4
Verfahrensansicht Prüfungsverfahren (Nr.: 12)
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VerfahrensartVARTPrüfungsverfahren
VerfahrensstandVSTPatent rechtskräftig erteilt
VerfahrensstandstagVSTT05.10.2013
HeftnummerHN2
JahrPJ2014
VeröffentlichungsdatumVT09.01.2014
PublikationsartPARTBibliografiedaten
TeilHTTeil 3
Verfahrensansicht Vertreteränderung (Nr.: 13)
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VerfahrensartVARTVertreteränderung
VerfahrensstandVSTÄnderung des Vertreters
VerfahrensstandstagVSTT20.11.2018
HeftnummerHN52
JahrPJ2018
VeröffentlichungsdatumVT27.12.2018
PublikationsartPARTBibliografiedaten
TeilHTTeil 3
74VertreterVTRPatentanwälte Wallach, Koch, Dr. Haibach, Feldkamp, 80339 München, DE
74Früherer VertreterVTRFGrünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB, 80802 München, DE
Verfahrensansicht Anmelder-/Inhaberänderung (Nr.: 14)
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VerfahrensartVARTAnmelder-/Inhaberänderung
VerfahrensstandVSTÄnderung des Anmelders/Inhabers
VerfahrensstandstagVSTT20.11.2018
HeftnummerHN52
JahrPJ2018
VeröffentlichungsdatumVT27.12.2018
PublikationsartPARTBibliografiedaten
TeilHTTeil 3
71/73Anmelder/InhaberINHTessera Advanced Technologies, Inc. (n. d. Ges. d. Staates Delaware), San Jose, Calif., US
71/73Früherer Anmelder/InhaberINHFGlobalfoundries Dresden Module One LLC & CO. KG, 01109 Dresden, DE, GLOBALFOUNDRIES INC., Grand Cayman, KY
Verfahrensansicht Klassifikationsänderung (Nr.: 15)
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VerfahrensartVARTKlassifikationsänderung
VerfahrensstandVSTÄnderung der IPC-Hauptklasse
VerfahrensstandstagVSTT22.11.2024
HeftnummerHN1
JahrPJ2025
VeröffentlichungsdatumVT02.01.2025
PublikationsartPARTBibliografiedaten
TeilHTTeil 3
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)		 H10D 84/85 (2025.01)
51Frühere IPC-HauptklasseICMF
(ICMVF)		 H01L 21/8238 (2006.01)
Tag der Aktualisierung des VerfahrensREGT02.01.2025