| 57 | Abstract | AB | Es wird eine Halbleitervorrichtung (1) bereitgestellt. Die Halbleitervorrichtung (1) kann ein Driftgebiet (11, 111, 13, 14, 15) eines ersten Leitfähigkeitstyps, ein Kanalgebiet (8, 108) eines zweiten Leitfähigkeitstyps auf dem Driftgebiet (11, 111, 13, 14, 15), wobei der zweite Leitfähigkeitstyp dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist, ein Source-Gebiet (9, 109) vom ersten Leitfähigkeitstyp auf dem Kanalgebiet (8, 108), einen Graben (5), der ein isoliertes Gate bildet und sich durch das Source-Gebiet (9, 109) und das Kanalgebiet (8, 108) erstreckt, so dass sein Boden sich im Driftgebiet (11, 111, 13, 14, 15) befindet, und mindestens einen vergrabenen Bereich (12) des zweiten Leitfähigkeitstyps, welcher sich innerhalb des Driftgebiets (11, 111, 13, 14, 15) von einem Randbereich des Driftgebiets (11, 111, 13, 14, 15) zum Graben (5) erstreckt und mit einem ersten Teilbereich (32) einer Oberfläche des Grabens (5) in direktem Kontakt ist, aufweisen, wobei ein zweiter Teilbereich (34) einer Oberfläche des Grabens (5) in direktem Kontakt mit dem Driftgebiet (11, 111, 13, 14, 15) ist, und wobei der vergrabene Bereich (12) elektrisch leitend mit dem Source-Gebiet (9, 109) verbunden ist. |
| 81 | Designated WO countries | WDS | AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, IT, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, WS, ZA, ZM, ZW |
