| 57 | Abstract | AB | Vertikaler Leistungstransistor (200, 300) mit einem Halbleitersubstrat, das eine Vorderseite aufweist, auf der mindestens eine Epitaxieschicht (202, 302), eine Kanalschicht und eine Sourceschicht angeordnet sind, wobei die Epitaxieschicht (202, 302) ein erstes Halbleitermaterial umfasst, das eine erste Dotierung aufweist, und einer Mehrzahl von ersten Gräben (205, 305) und zweiten Gräben (212, 312), wobei die ersten Gräben (205, 305) und die zweiten Gräben (212, 312) alternierend angeordnet sind und sich ausgehend von einer Oberfläche der Sourceschicht senkrecht bis mindestens in die Kanalschicht erstrecken, dadurch gekennzeichnet, dass sich ausgehend von einer Unterseite eines jeden ersten Grabenbodens (205, 305) ein Gebiet senkrecht in die Epitaxieschicht (202, 302) erstreckt, wobei das Gebiet ein zweites Halbleitermaterial umfasst, das eine zweite Dotierung aufweist. |
| 81 | Designated WO countries | WDS | AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW |
