57 | Zusammenfassung | AB | Halbleiter-Retrofitlampe (1) mit zweiseitig angeordneten Anschlusselementen (17), aufweisend einen röhrenförmigen Kühlkörper (5) mit mindestens einer außenseitigen Auflagefläche (6), wobei an der Auflagefläche (6) mindestens eine Halbleiterlichtquelle (2) angeordnet ist, ein in einen Hohlraum (9) des Kühlkörpers (5) eingebrachtes Treibergehäuse (10, 10a, 10b), wobei zwischen dem Treibergehäuse (10, 10a, 10b) und dem Kühlkörper (5) mindestens ein Strömungskanal (11, 11a, 11b) vorhanden ist. Das Verfahren dient zum Herstellen einer Halbleiter-Retrofitlampe (1) durch Bereitstellen eines mit Halbleiterlichtquellen (2) ausgerüsteten, röhrenförmigen Kühlkörpers (5) und Einschieben eines Treibergehäuses (10, 10a, 10b) in den das Treibergehäuse (10, 10a, 10b) kraftschlüssig haltenden Kühlkörper (5), so dass zwischen dem Treibergehäuse (10, 10a, 10b) und dem Kühlkörper (5) mindestens ein Strömungskanal (11, 11a, 11b) vorhanden ist. |
81 | Bestimmungsstaaten WO | WDS | AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW |