Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: 11 2011 101 575.5 (Status: anhängig/in Kraft, Stand am: 8. August 2025)

Stammdaten
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTAnhängig/in Kraft
21Aktenzeichen DEDAKZ11 2011 101 575.5
86Aktenzeichen WOWAKZPCT/US2011/034937
87Veröffentlichungsnummer WOWPN2011140044
54Bezeichnung/TitelTITechniken zum Auffrischen einer Halbleiterspeichervorrichtung
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)		 G11C 11/406 (2006.01)
51IPC-Nebenklasse(n)ICS
(ICSV)		 G11C 11/401 (2006.01)
22Anmeldetag DEDAT03.05.2011
85PCT Eintritt Nationale Phase PatentPATNAT06.11.2012
86Anmeldetag WOWAT03.05.2011
43OffenlegungstagOT10.11.2011
Veröffentlichungstag der ErteilungPET08.05.2025
71/73Anmelder/InhaberINHMicron Technology, Inc., Boise, Id., US
72ErfinderINCarman, Eric, Cernex, FR
74VertreterVTRBARDEHLE PAGENBERG Partnerschaft mbB Patentanwälte, Rechtsanwälte, 81675 München, DE
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE112011101575B4
Recherchierbarer Text: DE112011101575B4
Originaldokument: DE112011101575T5
Recherchierbarer Text: DE112011101575T5
Zustellanschrift BARDEHLE PAGENBERG Partnerschaft mbB Patentanwälte, Rechtsanwälte, 81675 München, DE
33
31
32
Ausländische PrioritätPRC
PRNA
PRDA
US
61/332,037
06.05.2010
33
31
32
Ausländische PrioritätPRC
PRNA
PRDA
US
12/985,191
05.01.2011
FälligkeitFT
FG		31.05.2026
Jahresgebühr für das 16. Jahr Gebühren für Patentschutz
Zuständige Patentabteilung 55
87Veröffentlichungssprache WOWLANGEN - Englisch
57ZusammenfassungABTechniques for refreshing a semiconductor memory device are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as a method for refreshing a semiconductor memory device may include applying a plurality of voltage potentials to a memory cell in an array of memory cells. Applying a plurality of voltage potentials to the memory cell may include applying a first voltage potential to a first region of the memory cell via a respective source line of the array. Applying a plurality of voltage potentials to the memory cells may also include applying a second voltage potential to a second region of the memory cell via a respective local bit line and a respective selection transistor of the array. Applying a plurality of voltage potentials to the memory cells may further include applying a third voltage potential to a respective word line of the array, wherein the word line may be spaced apart from and capacitively to a body region of the memory cell that may be electrically floating and disposed between the first region and the second region. Applying a plurality of voltage potentials to the memory cells may further include applying a fourth voltage potential to a third region of the memory cell via a respective carrier injection line of the array.
81Bestimmungsstaaten WOWDSAE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Veröffentlichte EP-/WO-DokumenteEPWOPNOriginaldokument: WO2011140044A3
Recherchierbarer Text: WO2011140044A3
56Entgegenhaltungen/ZitateCT CN000001981344A (CN 1 981 344 A)
US020060011940A1 (US 2006 / 0 011 940 A1)
43ErstveröffentlichungstagEVT10.11.2011
Anzahl der Bescheide 1
Anzahl der Erwiderungen 1
Erstmalige Übernahme in DPMAregisterEREGT21.02.2013
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT12.06.2025
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)
  • 12.06.2025
    • Fälligkeit: geändert
  • 08.05.2025
    • Veröffentlichte DE-Dokumente: geändert
    • Verfahren: Publikationen, Pub - Patentschrift, 08.05.2025: geändert
  • 11.04.2025
    • Verfahren: Publikationen, Pub - Patentschrift, 08.05.2025: neu
  • 09.04.2025
    • Veröffentlichungstag der Erteilung: neu
  • 28.01.2025
    • Verfahren: Prüfungsverfahren, Prüfung - Erteilungsbeschluss, 27.01.2025: neu
  • 16.08.2024
    • St.36: geändert (technische Änderung)
  • 08.06.2024; 31.05.2024; 13.03.2024; 20.02.2024; 20.06.2023; 14.06.2023; 14.02.2023; 15.06.2022; 18.02.2022; 07.08.2021; 06.08.2020; 07.08.2019; 16.10.2018; 28.04.2018; 26.04.2018; 22.03.2018; 16.05.2017; 13.05.2016; 13.05.2015; 10.06.2014; 14.05.2014; 21.09.2013; 01.08.2013; 06.06.2013; 25.05.2013
    • Historiendaten für diese(n) Zeitpunkt(e) nicht vorhanden
  • 21.02.2013
    • Erstmalige Übernahme in DPMAregister
Verfahrensdaten
Nr.VerfahrensartVerfahrensstandVerfahrensstandstagVeröffentlichungsdatumAlle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 03.05.2011  Details anzeigen
2 Verfahren zur PCT-Anmeldung WO-Veröffentlichung 10.11.2011  Details anzeigen
3 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 03.01.2013  Details anzeigen
4 Vorverfahren Abschluss PCT Eintritt Nationale Phase 03.01.2013  Details anzeigen
5 Publikationen Veröffentlichung der Übersetzung der PCT-Anmeldung 21.02.2013 21.02.2013 Details anzeigen
6 Prüfungsverfahren Prüfungsantrag wirksam gestellt 15.03.2018 26.04.2018 Details anzeigen
7 Prüfungsverfahren Prüfungsbescheid 19.06.2023  Details anzeigen
8 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 15.02.2024  Details anzeigen
9 Prüfungsverfahren Erteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung 27.01.2025  Details anzeigen
10 Publikationen Patentschrift 08.05.2025 08.05.2025 Details anzeigen
Verfahrensansicht Vorverfahren (Nr.: 1)
INIDKriteriumFeldInhalt Details schließen
VerfahrensartVARTVorverfahren
VerfahrensstandVSTDie Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung
VerfahrensstandstagVSTT03.05.2011
Verfahrensansicht Verfahren zur PCT-Anmeldung (Nr.: 2)
INIDKriteriumFeldInhalt Details schließen
VerfahrensartVARTVerfahren zur PCT-Anmeldung
VerfahrensstandVSTWO-Veröffentlichung
VerfahrensstandstagVSTT10.11.2011
Verfahrensansicht Vorverfahren (Nr.: 3)
INIDKriteriumFeldInhalt Details schließen
VerfahrensartVARTVorverfahren
VerfahrensstandVSTDas Vorverfahren ist abgeschlossen
VerfahrensstandstagVSTT03.01.2013
Verfahrensansicht Vorverfahren (Nr.: 4)
INIDKriteriumFeldInhalt Details schließen
VerfahrensartVARTVorverfahren
VerfahrensstandVSTAbschluss PCT Eintritt Nationale Phase
VerfahrensstandstagVSTT03.01.2013
Verfahrensansicht Publikationen (Nr.: 5)
INIDKriteriumFeldInhalt Details schließen
VerfahrensartVARTPublikationen
VerfahrensstandVSTVeröffentlichung der Übersetzung der PCT-Anmeldung
VerfahrensstandstagVSTT21.02.2013
HeftnummerHN8
JahrPJ2013
VeröffentlichungsdatumVT21.02.2013
PublikationsartPARTSchriften
TeilHTTeil 6
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE112011101575T5
Recherchierbarer Text: DE112011101575T5
Verfahrensansicht Prüfungsverfahren (Nr.: 6)
INIDKriteriumFeldInhalt Details schließen
VerfahrensartVARTPrüfungsverfahren
VerfahrensstandVSTPrüfungsantrag wirksam gestellt
VerfahrensstandstagVSTT15.03.2018
HeftnummerHN17
JahrPJ2018
VeröffentlichungsdatumVT26.04.2018
PublikationsartPARTBibliografiedaten
TeilHTTeil 2
Antrag Dritter Nein
EingangstagAEGT15.03.2018
Verfahrensansicht Prüfungsverfahren (Nr.: 7)
INIDKriteriumFeldInhalt Details schließen
VerfahrensartVARTPrüfungsverfahren
VerfahrensstandVSTPrüfungsbescheid
VerfahrensstandstagVSTT19.06.2023
Tag der Aktualisierung des VerfahrensREGT20.06.2023
Verfahrensansicht Prüfungsverfahren (Nr.: 8)
INIDKriteriumFeldInhalt Details schließen
VerfahrensartVARTPrüfungsverfahren
VerfahrensstandVSTErwiderung auf Prüfungsbescheid
VerfahrensstandstagVSTT15.02.2024
Tag der Aktualisierung des VerfahrensREGT20.02.2024
Verfahrensansicht Prüfungsverfahren (Nr.: 9)
INIDKriteriumFeldInhalt Details schließen
VerfahrensartVARTPrüfungsverfahren
VerfahrensstandVSTErteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung
VerfahrensstandstagVSTT27.01.2025
Tag der Aktualisierung des VerfahrensREGT28.01.2025
Verfahrensansicht Publikationen (Nr.: 10)
INIDKriteriumFeldInhalt Details schließen
VerfahrensartVARTPublikationen
VerfahrensstandVSTPatentschrift
VerfahrensstandstagVSTT08.05.2025
HeftnummerHN19
JahrPJ2025
VeröffentlichungsdatumVT08.05.2025
PublikationsartPARTSchriften
TeilHTTeil 3
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE112011101575B4
Recherchierbarer Text: DE112011101575B4
Tag der Aktualisierung des VerfahrensREGT08.05.2025