Stammdaten| INID | Kriterium | Feld | Inhalt |
|---|
| Schutzrechtsart | SART | Patent |
| Status | ST | Anhängig/in Kraft |
| 21 | Aktenzeichen DE | DAKZ | 10 2007 040 587.3 |
| 54 | Bezeichnung/Titel | TI | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren derselben |
| 51 | IPC-Hauptklasse | ICM
(ICMV) | H01L 21/331 (2006.01) |
| 51 | IPC-Nebenklasse(n) | ICS
(ICSV) | H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01) |
| 22 | Anmeldetag DE | DAT | 28.08.2007 |
| 43 | Offenlegungstag | OT | 31.07.2008 |
| Veröffentlichungstag der Erteilung | PET | 22.11.2012 |
| 71/73 | Anmelder/Inhaber | INH | ROHM Co., Ltd., Kyoto, JP |
| 72 | Erfinder | IN | Hamaguchi, Takuya, Tokyo, JP; Haruguchi, Hideki, Tokyo, JP; Tsunoda, Tetsujiro, Tokyo, JP; |
| 74 | Vertreter | VTR | Prüfer & Partner mbB Patentanwälte Rechtsanwälte, 81479 München, DE |
| 10 | Veröffentlichte DE-Dokumente | DEPN | Originaldokument: DE102007040587A1
Recherchierbarer Text: DE102007040587A1
Originaldokument: DE102007040587B4
Recherchierbarer Text: DE102007040587B4 |
| Zustellanschrift | | Prüfer & Partner mbB Patentanwälte Rechtsanwälte, 81479 München, DE |
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| Ausländische Priorität | PRC
PRNA
PRDA
| JP
2007-013099
23.01.2007
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| Lizenz | LIZ | Lizenzbereitschaftserklärung vorhanden |
| Fälligkeit | FT
FG | 31.08.2023
Jahresgebühr für das 17. Jahr |
| Zuständige Patentabteilung | | 33 |
| 57 | Zusammenfassung | AB | Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist einen Schritt zum Ausbilden einer Mehrzahl von MOSFETs, von denen jeder einen Kanal eines ersten Leitungstyps hat, in einem Streifen auf der ersten Hauptoberfläche des Wafers (11) auf, einen Schritt zum Implantieren einer Verunreinigung eines ersten Leitungstyps in die zweite Hauptoberfläche des Wafers (11) und des Durchführens einer Laserausheilungsbehandlung in einem Streifen unter Auslassung äquidistanter Spalte zum Ausbilden einer Pufferschicht (21), welche in einem Streifen aktiviert wurde, einen Schritt des Implantierens einer Verunreinigung eines zweiten Leitungstyps in die zweite Hauptoberfläche des Substrates nach dem Ausbilden der Pufferschicht (21) und des Durchführens einer Laserausheilungsbehandlung auf der gesamten Oberfläche der zweiten Hauptoberfläche zum Ausbilden einer Kollektorschicht (22) und zum Aktivieren der Pufferschicht (21) und einen Schritt zum Ausbilden einer Emitterelektrode (23) auf der ersten Hauptoberfläche und zum Ausbilden einer Kollektorelektrode (24) auf der zweiten Hauptoberfläche. |
| 56 | Entgegenhaltungen/Zitate | CT | DE102005021249A1 (DE 10 2005 021 249 A1)
DE000010330571A1 (DE 103 30 571 A1)
DE000010302628A1 (DE 103 02 628 A1)
DE000069610970T2 (DE 696 10 970 T2)
US000006274892B1 (US 6 274 892 B1)
DE000069026184T2 (DE 690 26 184 T2)
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| 43 | Erstveröffentlichungstag | PUB | 31.07.2008 |
| Anzahl der Bescheide | | 1 |
| Anzahl der Erwiderungen | | 1 |
| Tag der ersten Übernahme in DPMAregister | EREGT | 26.05.2011 |
| Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregister | REGT | 07.07.2022
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)26.05.2011; 19.07.2011; 06.09.2011; 21.09.2011; 04.01.2012; 22.05.2012; 11.07.2012; 13.07.2012; 14.07.2012; 17.07.2012; 18.07.2012; 20.07.2012; 21.07.2012; 04.08.2012; 15.08.2012; 17.08.2012; 23.08.2012; 05.09.2012; 18.09.2012; 02.10.2012; 22.11.2012; 27.11.2012; 31.01.2013; 26.03.2013; 11.04.2013; 29.05.2013; 01.08.2013; 29.08.2013; 10.09.2013; 01.03.2014; 03.09.2014; 09.09.2014; 15.11.2014; 05.09.2015; 08.09.2015; 18.12.2015; 07.09.2016; 31.08.2017; 06.09.2018; 21.08.2019; 06.09.2019; 24.08.2020; 08.12.2020; 15.01.2021; 23.07.2021; 07.07.2022 |
