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DPMAregister

Patente und Gebrauchsmuster

Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: 10 2007 040 587.3 (Status: anhängig/in Kraft, Stand am: 24. Januar 2022)

Stammdaten 
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTAnhängig/in Kraft
21Aktenzeichen DEDAKZ10 2007 040 587.3
54Bezeichnung/TitelTIHalbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren derselben
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)
H01L 21/331 (2006.01)
51IPC-Nebenklasse(n)ICS
(ICSV)
H01L 29/739 (2006.01)
H01L 29/06 (2006.01)
22Anmeldetag DEDAT28.08.2007
43OffenlegungstagOT31.07.2008
Veröffentlichungstag der ErteilungPET22.11.2012
71/73Anmelder/InhaberINHROHM Co., Ltd., Kyoto, JP
72ErfinderINHamaguchi, Takuya, Tokyo, JP
Haruguchi, Hideki, Tokyo, JP
Tsunoda, Tetsujiro, Tokyo, JP
74VertreterVTRPrüfer & Partner mbB Patentanwälte Rechtsanwälte, 81479 München, DE
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE102007040587A1PDF DE102007040587A1; Recherchierbarer Text: DE102007040587A1PDF DE102007040587A1
Originaldokument: DE102007040587B4PDF DE102007040587B4; Recherchierbarer Text: DE102007040587B4PDF DE102007040587B4
Zustellanschrift Prüfer & Partner mbB Patentanwälte Rechtsanwälte, 81479 München, DE
33
31
32
Ausländische PrioritätPRC
PRNA
PRDA
JP
2007-013099
23.01.2007
LizenzLIZLizenzbereitschaftserklärung vorhanden
FälligkeitFT
FG
31.08.2022
Jahresgebühr für das 16. Jahr
Zuständige Patentabteilung 33
57ZusammenfassungABEin Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist einen Schritt zum Ausbilden einer Mehrzahl von MOSFETs, von denen jeder einen Kanal eines ersten Leitungstyps hat, in einem Streifen auf der ersten Hauptoberfläche des Wafers (11) auf, einen Schritt zum Implantieren einer Verunreinigung eines ersten Leitungstyps in die zweite Hauptoberfläche des Wafers (11) und des Durchführens einer Laserausheilungsbehandlung in einem Streifen unter Auslassung äquidistanter Spalte zum Ausbilden einer Pufferschicht (21), welche in einem Streifen aktiviert wurde, einen Schritt des Implantierens einer Verunreinigung eines zweiten Leitungstyps in die zweite Hauptoberfläche des Substrates nach dem Ausbilden der Pufferschicht (21) und des Durchführens einer Laserausheilungsbehandlung auf der gesamten Oberfläche der zweiten Hauptoberfläche zum Ausbilden einer Kollektorschicht (22) und zum Aktivieren der Pufferschicht (21) und einen Schritt zum Ausbilden einer Emitterelektrode (23) auf der ersten Hauptoberfläche und zum Ausbilden einer Kollektorelektrode (24) auf der zweiten Hauptoberfläche.
56Entgegenhaltungen/ZitateCTDE102005021249A1 (DE 10 2005 021 249 A1)PDF DE102005021249A1 (DE 10 2005 021 249 A1)
DE000010330571A1 (DE 103 30 571 A1)PDF DE000010330571A1 (DE 103 30 571 A1)
DE000010302628A1 (DE 103 02 628 A1)PDF DE000010302628A1 (DE 103 02 628 A1)
DE000069610970T2 (DE 696 10 970 T2)PDF DE000069610970T2 (DE 696 10 970 T2)
US000006274892B1 (US 6 274 892 B1)PDF US000006274892B1 (US 6 274 892 B1)
DE000069026184T2 (DE 690 26 184 T2)PDF DE000069026184T2 (DE 690 26 184 T2)
43ErstveröffentlichungstagPUB31.07.2008
Anzahl der Bescheide 1
Anzahl der Erwiderungen 1
Tag der ersten Übernahme in DPMAregisterEREGT26.05.2011
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT23.07.2021
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)26.05.2011; 19.07.2011; 06.09.2011; 21.09.2011; 04.01.2012; 22.05.2012; 11.07.2012; 13.07.2012; 14.07.2012; 17.07.2012; 18.07.2012; 20.07.2012; 21.07.2012; 04.08.2012; 15.08.2012; 17.08.2012; 23.08.2012; 05.09.2012; 18.09.2012; 02.10.2012; 22.11.2012; 27.11.2012; 31.01.2013; 26.03.2013; 11.04.2013; 29.05.2013; 01.08.2013; 29.08.2013; 10.09.2013; 01.03.2014; 03.09.2014; 09.09.2014; 15.11.2014; 05.09.2015; 08.09.2015; 18.12.2015; 07.09.2016; 31.08.2017; 06.09.2018; 21.08.2019; 06.09.2019; 24.08.2020; 08.12.2020; 15.01.2021; 23.07.2021
Verfahrensdaten
PositionVerfahrensartVerfahrensstandVerfahrensstandstagVerfahrensstandstag absteigend sortierenVeröffentlicht im Patentblatt vomAlle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 28.08.2007  Detail anzeigen
2 Prüfungsverfahren Prüfungsantrag wirksam gestellt 28.08.2007  Detail anzeigen
3 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 25.09.2007  Detail anzeigen
4 Publikationen Offenlegungsschrift 31.07.2008 31.07.2008 Detail anzeigen
5 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 05.08.2009  Detail anzeigen
6 Prüfungsverfahren Erteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung 19.07.2012  Detail anzeigen
7 Publikationen Patentschrift 22.11.2012 22.11.2012 Detail anzeigen
8 Prüfungsverfahren Patent rechtskräftig erteilt 23.02.2013 29.05.2013 Detail anzeigen
9 Lizenzerklärungen Lizenzbereitschaft erklärt 07.11.2014  Detail anzeigen
10 Anmelder-/Inhaberänderung Änderung des Anmelders/Inhabers 07.12.2020 14.01.2021 Detail anzeigen

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