zur Startseite des DPMA

DPMAregister

Patente und Gebrauchsmuster

Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: 10 2005 017 288.1 (Status: anhängig/in Kraft, Stand am: 24. Januar 2022)

Stammdaten 
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTAnhängig/in Kraft
21Aktenzeichen DEDAKZ10 2005 017 288.1
54Bezeichnung/TitelTIVerfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Graben in einem Siliziumcarbid-Halbleitersubstrat
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)
H01L 21/337 (2006.01)
51IPC-Nebenklasse(n)ICS
(ICSV)
H01L 21/336 (2006.01)
H01L 29/04 (2006.01)
H01L 29/12 (2006.01)
22Anmeldetag DEDAT14.04.2005
43OffenlegungstagOT03.11.2005
Veröffentlichungstag der ErteilungPET22.11.2012
71/73Anmelder/InhaberINHDENSO CORPORATION, Kariya-city, Aichi-pref., JP
72ErfinderINTakeuchi, Yuuichi, Kariya-city, Aichi-pref., JP
Malhan, Rajesh Kumar, Kariya-city, Aichi-pref., JP
Matsunami, Hiroyuki, Yawata-city, Kyoto-pref., JP
Kimoto, Tsunenobu, Kyoto-city, Kyoto-pref., JP
74VertreterVTRWinter, Brandl - Partnerschaft mbB, Patentanwälte, 85354 Freising, DE
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE102005017288A1PDF DE102005017288A1; Recherchierbarer Text: DE102005017288A1PDF DE102005017288A1
Originaldokument: DE102005017288B4PDF DE102005017288B4; Recherchierbarer Text: DE102005017288B4PDF DE102005017288B4
Originaldokument: DE102005017288B8PDF DE102005017288B8; Recherchierbarer Text: DE102005017288B8PDF DE102005017288B8
Zustellanschrift Winter, Brandl - Partnerschaft mbB, Patentanwälte, 85354 Freising, DE
33
31
32
Ausländische PrioritätPRC
PRNA
PRDA
JP
2004-118890
14.04.2004
33
31
32
Ausländische PrioritätPRC
PRNA
PRDA
JP
2004-193459
30.06.2004
33
31
32
Ausländische PrioritätPRC
PRNA
PRDA
JP
2004-193460
30.06.2004
LizenzLIZLizenzbereitschaftserklärung vorhanden
FälligkeitFT
FG
30.04.2022
Jahresgebühr für das 18. Jahr
Zuständige Patentabteilung 33
57ZusammenfassungABEin Verfahren zur Herstellung einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung weist die Schritte auf: Ausbilden einer Grabenmaske (21) auf einer oberen Oberfläche eines Halbleitersubstrats (20); Ausbilden eines Grabens (6), derart, dass der Graben (6) ein Längen- oder Streckenverhältnis von gleich oder größer als 2 hat und einen Grabenneigungs- oder Böschungswinkel von gleich oder mehr als 80° hat; und Entfernen eines Schadensbereichs, derart, dass der Schadensbereich, der an einer inneren Oberfläche des Grabens (6) in dem Halbleitersubstrat (20) liegt und beim Schritt des Ausbildens des Grabens (6) gebildet wurde, in einer Wasserstoffatmosphäre unter Unterdruck bei einer Temperatur von gleich oder mehr als 1600°C geätzt und entfernt wird.
56Entgegenhaltungen/ZitateCTDE000010127231A1 (DE 101 27 231 A1)PDF DE000010127231A1 (DE 101 27 231 A1)
JP002003218036A (JP 2003- 218 036 A)PDF JP002003218036A (JP 2003- 218 036 A)
43ErstveröffentlichungstagPUB03.11.2005
Anzahl der Bescheide 1
Anzahl der Erwiderungen 1
Tag der ersten Übernahme in DPMAregisterEREGT27.05.2011
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT28.04.2021
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)27.05.2011; 22.06.2011; 23.06.2011; 17.07.2011; 21.07.2011; 18.08.2011; 05.10.2011; 02.11.2011; 01.05.2012; 05.05.2012; 12.05.2012; 13.07.2012; 14.07.2012; 03.10.2012; 22.11.2012; 27.11.2012; 06.12.2012; 12.12.2012; 21.12.2012; 27.01.2013; 31.01.2013; 11.04.2013; 08.05.2013; 24.05.2013; 29.05.2013; 01.08.2013; 20.09.2013; 21.09.2013; 24.09.2013; 14.11.2013; 25.02.2014; 30.04.2014; 08.05.2014; 24.05.2014; 18.06.2014; 21.06.2014; 24.06.2014; 16.08.2014; 19.08.2014; 06.05.2015; 08.05.2015; 22.01.2016; 03.05.2016; 06.05.2017; 03.05.2018; 03.05.2019; 28.04.2020; 05.01.2021; 27.01.2021; 28.04.2021
Verfahrensdaten
PositionVerfahrensartVerfahrensstandVerfahrensstandstagVerfahrensstandstag absteigend sortierenVeröffentlicht im Patentblatt vomAlle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 14.04.2005  Detail anzeigen
2 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 06.06.2005  Detail anzeigen
3 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 17.10.2005  Detail anzeigen
4 Publikationen Offenlegungsschrift 03.11.2005 03.11.2005 Detail anzeigen
5 Prüfungsverfahren Prüfungsantrag wirksam gestellt 05.04.2011 22.06.2011 Detail anzeigen
6 Prüfungsverfahren Prüfungsbescheid 12.05.2011  Detail anzeigen
7 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 08.07.2011  Detail anzeigen
8 Publikationen Mitteilung von Rechercheergebnissen nach Publikation 21.07.2011 21.07.2011 Detail anzeigen
9 Prüfungsverfahren Erteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung 13.07.2012  Detail anzeigen
10 Publikationen Patentschrift 22.11.2012 22.11.2012 Detail anzeigen
11 Publikationen Patentschrift: Berichtigung fehlerhafter Titelseiten 31.01.2013 31.01.2013 Detail anzeigen
12 Prüfungsverfahren Patent rechtskräftig erteilt 23.02.2013 29.05.2013 Detail anzeigen
13 Lizenzerklärungen Lizenzbereitschaft erklärt 17.09.2013  Detail anzeigen

Sie sind hier:  >  DPMAregister-StartseitePatente und Gebrauchsmuster >  Detailansicht