Master dataINID | Criterion | Field | Content |
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| Type of IP right | SART | Patent |
| Status | ST | Not pending/lapsed |
21 | DE file number | DAKZ | 10 2005 017 288.1 |
54 | Designation/title | TI | Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Graben in einem Siliziumcarbid-Halbleitersubstrat |
51 | IPC main class | ICM (ICMV) | H01L 21/337 (2006.01) |
51 | IPC secondary class(es) | ICS (ICSV) | H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/04 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01) |
22 | DE application date | DAT | Apr 14, 2005 |
43 | Date of first publication | OT | Nov 3, 2005 |
| Date of publication of grant | PET | Nov 22, 2012 |
71/73 | Applicant/owner | INH | DENSO CORPORATION, Kariya-city, Aichi-pref., JP |
72 | Inventor | IN | Takeuchi, Yuuichi, Kariya-city, Aichi-pref., JP; Malhan, Rajesh Kumar, Kariya-city, Aichi-pref., JP; Matsunami, Hiroyuki, Yawata-city, Kyoto-pref., JP; Kimoto, Tsunenobu, Kyoto-city, Kyoto-pref., JP |
74 | Representative | VTR | Winter, Brandl - Partnerschaft mbB, Patentanwälte, 85354 Freising, DE |
10 | Published DE documents | DEPN | Original document:
DE102005017288A1 Searchable text:
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DE102005017288B8 |
| Address for service | | Winter, Brandl - Partnerschaft mbB, Patentanwälte, 85354 Freising, DE |
33 31 32
| Foreign priority | PRC PRNA PRDA
| JP 2004-118890 Apr 14, 2004
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33 31 32
| Foreign priority | PRC PRNA PRDA
| JP 2004-193459 Jun 30, 2004
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33 31 32
| Foreign priority | PRC PRNA PRDA
| JP 2004-193460 Jun 30, 2004
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| Licence | LIZ | Willingness to grant licences to anyone declared |
| Patent division in charge | | 33 |
57 | Abstract | AB | Ein Verfahren zur Herstellung einer Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung weist die Schritte auf: Ausbilden einer Grabenmaske (21) auf einer oberen Oberfläche eines Halbleitersubstrats (20); Ausbilden eines Grabens (6), derart, dass der Graben (6) ein Längen- oder Streckenverhältnis von gleich oder größer als 2 hat und einen Grabenneigungs- oder Böschungswinkel von gleich oder mehr als 80° hat; und Entfernen eines Schadensbereichs, derart, dass der Schadensbereich, der an einer inneren Oberfläche des Grabens (6) in dem Halbleitersubstrat (20) liegt und beim Schritt des Ausbildens des Grabens (6) gebildet wurde, in einer Wasserstoffatmosphäre unter Unterdruck bei einer Temperatur von gleich oder mehr als 1600°C geätzt und entfernt wird. |
56 | Citations | CT |
DE000010127231A1 (DE 101 27 231 A1)
JP002003218036A (JP 2003- 218 036 A)
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43 | Date of first publication | EVT | Nov 3, 2005 |
| Number of official communications (office actions) | | 1 |
| Number of responses | | 1 |
| Date of the first transfer into DPMAregister | EREGT | May 27, 2011 |
| Date of the (most recent) update in DPMAregister | REGT | Feb 9, 2023 (Show all update days)(Hide all update days)- Feb 9, 2023; Dec 20, 2022; Apr 28, 2021; Jan 27, 2021; Jan 5, 2021; Apr 28, 2020; May 3, 2019; May 3, 2018; May 6, 2017; May 3, 2016; Jan 22, 2016; May 8, 2015; May 6, 2015; Aug 19, 2014; Aug 16, 2014; Jun 24, 2014; Jun 21, 2014; Jun 18, 2014; May 24, 2014; May 8, 2014; Apr 30, 2014; Feb 25, 2014; Nov 14, 2013; Sep 24, 2013; Sep 21, 2013; Sep 20, 2013; Aug 1, 2013; May 29, 2013; May 24, 2013; May 8, 2013; Apr 11, 2013; Jan 31, 2013; Jan 27, 2013; Dec 21, 2012; Dec 12, 2012; Dec 6, 2012; Nov 27, 2012; Nov 22, 2012; Oct 3, 2012; Jul 14, 2012; Jul 13, 2012; May 12, 2012; May 5, 2012; May 1, 2012; Nov 2, 2011; Oct 5, 2011; Aug 18, 2011; Jul 21, 2011; Jul 17, 2011; Jun 23, 2011; Jun 22, 2011
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