Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: 10 2011 108 080.9 (Status: nicht anhängig/erloschen, Stand am: 18. April 2024)

Stammdaten
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTNicht anhängig/erloschen
21Aktenzeichen DEDAKZ10 2011 108 080.9
54Bezeichnung/TitelTIGruppe-III-Nitrid-basierte Schichtenfolge, deren Verwendung und Verfahren ihrer Herstellung
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)		 C30B 29/38 (2006.01)
51IPC-Nebenklasse(n)ICS
(ICSV)		 C30B 25/18 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 33/30 (2010.01), H01L 31/06 (2012.01)
22Anmeldetag DEDAT21.07.2011
43OffenlegungstagOT24.01.2013
Veröffentlichungstag der ErteilungPET20.08.2015
71/73Anmelder/InhaberINHOtto-von-Guericke-Universität Magdeburg, 39106 Magdeburg, DE
72ErfinderINKrost, Alois, Prof. Dr., 13589 Berlin, DE; Dadgar, Armin, Dr., 10555 Berlin, DE
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE102011108080A1
Recherchierbarer Text: DE102011108080A1
Originaldokument: DE102011108080B4
Recherchierbarer Text: DE102011108080B4
Zustellanschrift Otto-von-Guericke- Universität Magdeburg, 39106 Magdeburg, DE
Zuständige Patentabteilung 43
56Entgegenhaltungen/ZitateCT US020100133658A1 (US 2010 / 0 133 658 A1)
56Entgegenhaltungen/Zitate NPLCTNP”Low-temperature/high-temperature AlN superlattice buffer layers for high‑quality AlxGa1-xN on Si(111)“, Ph. Saengkaew et al., J. Cryst. Growth 311 (2009), S. 3742-3748.;
”Crack-free GaN/Si(111) epitaxial layers grown with InAlGaN alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition“, J. Wu et al., J. Cryst. Grorth 279 (2005), S. 335-340.;
”Growth and characterization of GaN films on Si(111) substrate using high-temperature AlN buffer leyer“, X. Ni et al., Surface & Coatings Technology 198 (2005) 350-353.
43ErstveröffentlichungstagEVT24.01.2013
Anzahl der Bescheide 1
Anzahl der Erwiderungen 1
Erstmalige Übernahme in DPMAregisterEREGT24.01.2013
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT27.04.2023
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)24.01.2013; 04.04.2013; 06.08.2013; 14.11.2013; 23.02.2014; 30.04.2014; 24.04.2015; 03.07.2015; 14.07.2015; 24.07.2015; 20.08.2015; 29.01.2016; 03.06.2016; 07.07.2016; 09.08.2016; 11.07.2017; 07.09.2017; 18.04.2018; 09.07.2019; 07.07.2020; 10.07.2021; 19.03.2023; 27.04.2023
Verfahrensdaten
Nr. Verfahrensart Verfahrensstand Verfahrensstandstag Verfahrensstandstag aufsteigend sortiert Erstveröffentlichungstag Alle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 21.07.2011   Details anzeigen
2 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 10.02.2012   Details anzeigen
3 Prüfungsverfahren Prüfungsantrag wirksam gestellt 25.05.2012   Details anzeigen
4 Prüfungsverfahren Prüfungsbescheid 08.08.2012   Details anzeigen
5 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 10.12.2012   Details anzeigen
6 Publikationen Offenlegungsschrift 24.01.2013 24.01.2013 Details anzeigen
7 Prüfungsverfahren Erteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung 23.04.2015   Details anzeigen
8 Publikationen Patentschrift 20.08.2015 20.08.2015 Details anzeigen
9 Prüfungsverfahren Patent rechtskräftig erteilt 21.05.2016 11.08.2016 Details anzeigen
10 Verwaltungsverfahren Die Anmeldung gilt als zurückgenommen wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr/das Schutzrecht ist wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr erloschen 01.02.2023 27.04.2023 Details anzeigen