| 57 | Zusammenfassung | AB | Halbleiterbauelement, aufweisend: - einen Halbleiterköper (21) mit einer ersten Seite (22), einer zweiten Seite (23) und einem Rand (24), - eine Innenzone (27) mit einer Grunddotierung eines ersten Leitungstyps, - eine erste, zwischen der ersten Seite (22) und der Innenzone (27) angeordnete Halbleiterzone (28, 61) des ersten Leitungstyps mit einer Dotierungskonzentration, die höher ist als die der Innenzone (27), - eine zweite, zwischen der zweiten Seite (23) und der Innenzone (27) angeordnete Halbleiterzone (29) eines zweiten, zum ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps mit einer Dotierungskonzentration, die höher ist als die der Innenzone (27), - wenigstens eine erste Randabschrägung, die sich in einem ersten Winkel (30) zur Erstreckungsebene des Übergangs von der zweiten Halbleiterzone (29) zur Innenzone (27) wenigstens entlang des Rands (24) der zweiten Halbleiterzone (29) und der Innenzone (27) erstreckt, wobei wenigstens eine vergrabene Halbleiterzone (41, 51, 81) des zweiten Leitungstyps mit einer Dotierungskonzentration, die höher ist als die der Innenzone (27), zwischen der ersten Halbleiterzone (28, 61) und der Innenzone (27) vorgesehen ist und sich im Wesentlichen parallel zur ersten Halbleiterzone (28, 61) erstreckt. |
| 81 | Bestimmungsstaaten WO | WDS | AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW |
