Stammdaten| INID | Kriterium | Feld | Inhalt |
|---|
| Schutzrechtsart | SART | Patent |
| Status | ST | Nicht anhängig/erloschen |
| 21 | Aktenzeichen DE | DAKZ | 10 2004 064 267.2 |
| 54 | Bezeichnung/Titel | TI | Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement |
| 51 | IPC-Hauptklasse | ICM
(ICMV) | H01L 21/265 (2006.01) |
| 51 | IPC-Nebenklasse(n) | ICS
(ICSV) | H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01) |
| 22 | Anmeldetag DE | DAT | 12.08.2004 |
| 43 | Offenlegungstag | OT | 23.02.2006 |
| 71/73 | Anmelder/Inhaber | INH | Infineon Technologies AG, 81669 München, DE |
| 72 | Erfinder | IN | Lutz, Josef, Dr., 09126 Chemnitz, DE; Schulze, Hans-Joachim, Dr., 85521 Ottobrunn, DE; Niedernostheide, Franz-Josef, Dr., 48157 Münster, DE; Siemieniec, Ralf, Dr., 81737 München, DE |
| 74 | Vertreter | VTR | Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mit beschränkter Berufshaftung, 81541 München, DE |
| Zustellanschrift | | Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mit beschränkter Berufshaftung, 81541 München, DE |
| Zuständige Patentabteilung | | 33 |
| 62 | Teilung/Ausscheidung aus AKZ | TAAKZ | 10 2004 039 208.0 |
| 57 | Zusammenfassung | AB | Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone in einem Halbleiterkörper, das folgende Verfahrensschritte aufweist:$A - Erzeugen einer Sauerstoffkonzentration wenigstens in dem zu dotierenden Bereich in dem Halbleiterkörper,$A - Bestrahlen des Halbleiterkörpers über eine Seite mit nicht-dotierenden Teilchen zur Erzeugung von Defekten in dem zu dotierenden Bereich,$A - Durchführen eines Temperaturschrittes bei Temperaturen zwischen 380°C und 500°C, vorzugsweise zwischen 420°C und 460°C.$A Die Erfindung betrifft außerdem ein Halbleiterbauelement mit einer nach diesem Verfahren hergestellten Feldstoppzone. |
| 56 | Entgegenhaltungen/Zitate | CT |
US020030054641A1 (US 2003 / 0 054 641 A1)
DE000010240107A1 (DE 102 40 107 A1)
DE000010245089A1 (DE 102 45 089 A1)
DE000010055446A1 (DE 100 55 446 A1)
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| 56 | Entgegenhaltungen/Zitate NPL | CTNP | AMMERLAAN, C.A.J.: Die physikalische,Beschaffenheit von TDDen. IN: EMIS Datareviews Series. 1999, Vol. 20 Properties of crystalline silicon), S. 663 - 668.,ISBN: 0-85296-933-3.;
WIDMANN, D.; MADER, H.; FRIEDRICH, H.: Technologie hochintegrierter Schaltungen. 2. Auflage. Berlin [u.a.]: Springer, 1996 (Halbleiter-Elektronik 19). S. 42 - 43. ISBN: 3-540-59357-8.;
Enisherlova, K. L. et al.: Silicon Structures for Power Electronics. In: Chemistry for Sustainable Development. 2001, Vol. 9, S. 11 – 17. – ISSN: 1817-1818 |
| 43 | Erstveröffentlichungstag | EVT | 19.12.2013 |
| Anzahl der Bescheide | | 2 |
| Anzahl der Erwiderungen | | 1 |
| Erstmalige Übernahme in DPMAregister | EREGT | 19.12.2013 |
| Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregister | REGT | 07.01.2024
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)19.12.2013; 24.12.2013; 24.02.2014; 04.07.2014; 06.11.2014; 22.04.2015; 06.11.2015; 05.11.2016; 09.09.2017; 18.10.2017; 20.10.2017; 02.03.2018; 26.04.2018; 09.11.2018; 28.01.2020; 04.02.2020; 29.04.2020; 04.06.2020; 07.01.2024 |
