Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: P 42 34 196.5 (Status: nicht anhängig/erloschen, Stand am: 28. April 2024)

Stammdaten
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTNicht anhängig/erloschen
21Aktenzeichen DEDAKZP 42 34 196.5
54Bezeichnung/TitelTIVerfahren zur Synthese makrokristalliner Diamant- und Borazon-Einkristalle
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)		 C30B 33/04 (1995.01)
51IPC-Nebenklasse(n)ICS
(ICSV)		 C30B 29/04 (1995.01), C30B 29/38 (1995.01), C30B 1/10 (1995.01), H02N 1/00 (1995.01), H01L 21/20 (1995.01), B01J 19/08 (1995.01)
22Anmeldetag DEDAT10.10.1992
43OffenlegungstagOT04.11.1993
71/73Anmelder/InhaberINHKöster, Roland, 58239 Schwerte, DE
72ErfinderINErfinder ist Anmelder
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE000004234196A1
Recherchierbarer Text: DE000004234196A1
Zustellanschrift Herrn Roland Köster, 58239 Schwerte, DE
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Inländische PrioritätPRN
PRD
P 42 14 131.1
29.04.1992
LizenzLIZLizenzinteresseerklärung vorhanden
Zuständige Patentabteilung 43
57ZusammenfassungABDie bekannten Verfahren erfordern einen hohen apparativen Aufwand. Eine Synthese von n-halbleitendem Diamant/Borazon gelingt nicht, ebensowenig die epitaktische Abscheidung einkristalliner Diamant-/Borazonschichten auf einkristallinen Silicium-, Galliumarsenid- oder Indiumphosphidschichten. Das neue Verfahren soll unter Normalbedingungen durchführbar und schnell sein, sowie gute Möglichkeiten zur Dotierung und epitaktischen Abscheidung einkristalliner Schichten auf einkristallinen Fremdsubstraten bereitstellen und besonders große reine Einkristalle liefern, aus Borazon, Lonsdaleit und der kubischen Diamantkonfiguration.$A Ein Graphit-Einkristall oder ein hochorientierter Pyrographit wird unter dem Einfluß eines elektr. Feldes von mehr als 2,5 MV/cm, mittels Polymerisation, in einen Diamant-Einkristall überführt. Ebenso wird hexagonaler Bornitrid in Borazon überführt. Die Kristalle können rein oder dotiert sein. Initiator der Polymerisation ist Iod. Der Kristall wird zwischen zwei isolierten Kondensatorplatten plaziert, die über einen eigens konstruierten Hochspannungsgenerator geladen werden. Dieser besteht im wesentlichen aus zwei Kondensatorplatten, deren Zwischenraum aus BaO-Keramik gegen Polyethylen ausgetauscht werden kann.$A Diamant- und Borazon-Einkristalle, rein oder dotiert, mit der Möglichkeit epitaktischer Abscheidung auf einkristallinen Fremdsubstraten, insbesondere für die Schmuck-, Halbleiter-, Werkzeug- und optische Industrie.
43ErstveröffentlichungstagEVT04.11.1993
Anzahl der Bescheide 0
Anzahl der Erwiderungen 0
Erstmalige Übernahme in DPMAregisterEREGT27.05.2011
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT05.07.2014
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)27.05.2011; 09.02.2013; 05.07.2014
Verfahrensdaten
Nr. Verfahrensart Verfahrensstand Verfahrensstandstag Verfahrensstandstag aufsteigend sortiert Erstveröffentlichungstag Alle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 10.10.1992   Details anzeigen
2 Lizenzerklärungen Unverbindliches Lizenzinteresse erklärt 10.10.1992 09.12.1993 Details anzeigen
3 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 02.12.1992   Details anzeigen
4 Publikationen Offenlegungsschrift 04.11.1993 04.11.1993 Details anzeigen
5 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 01.10.1994   Details anzeigen
6 Verwaltungsverfahren Die Anmeldung gilt als zurückgenommen wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr/das Schutzrecht ist wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr erloschen 01.07.1995 05.10.1995 Details anzeigen