Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: 102 39 868.2 (Status: nicht anhängig/erloschen, Stand am: 29. April 2024)

Stammdaten
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTNicht anhängig/erloschen
21Aktenzeichen DEDAKZ102 39 868.2
54Bezeichnung/TitelTIVerfahren zur Erzeugung von tiefen dotierten Säulenstrukturen in Halbleiterwafern und hierdurch hergestellte Trench-Transistoranordnung
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)		 H01L 21/336 (2006.01)
51IPC-Nebenklasse(n)ICS
(ICSV)		 H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
22Anmeldetag DEDAT29.08.2002
43OffenlegungstagOT18.03.2004
Veröffentlichungstag der ErteilungPET29.12.2005
71/73Anmelder/InhaberINHInfineon Technologies AG, 81669 München, DE
72ErfinderINRüb, Michael, Dr., 9583 Faak am See, AT
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE000010239868A1
Recherchierbarer Text: DE000010239868A1
Originaldokument: DE000010239868B4
Recherchierbarer Text: DE000010239868B4
Zustellanschrift Infineon Technologies AG Intellectual Property, 80506 München, DE
Zuständige Patentabteilung 33
57ZusammenfassungABBei einem erfindungsgemäßen Verfahren werden tiefe dotierte Säulenbereiche oder Trenches (S) in Halbleiterwafern durch folgende Schritte erzeugt:$A - auf einem Substrat (10) wird wenigstens eine Ebene (I-V) einer Folge (a, b, a) aus alternierenden mit einem ersten Leitfähigkeitstyp (n) dotierten und mit einem zweiten Leitfähigkeitstyp (p) dotierten Epischichtabschnitten (11, 12) in einer gewünschten Dicke abgeschieden,$A - im Säulenbereich (S) wird eine Topologiestufe (17a; 17b) in oder auf den abgeschiedenen Epischicht(en) (12) der Folge (a, b, a) definiert und$A - durch eine ganzflächige Hochenergieimplantation werden in einer durch eine entsprechende Wahl der Implantationsenergie gegebenen Tiefe und in einer durch die laterale Weite der Topologiestufe gegebenen Weite im Säulenbereich (S) wenigstens die mit dem zweiten Leitfähigkeitstyp (p) dotierten Schichten in mit dem ersten Leitfähigkeitstyp (n) dotierte Schichtabschnitte (15) umgewandelt.
56Entgegenhaltungen/ZitateCT DE000019907201A1 (DE 199 07 201 A1)
US000006103578A (US 61 03 578)
US000005426059A (US 54 26 059)
WO 199/7 36 328 A1
43ErstveröffentlichungstagEVT18.03.2004
Anzahl der Bescheide 2
Anzahl der Erwiderungen 2
Erstmalige Übernahme in DPMAregisterEREGT26.05.2011
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT04.06.2020
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)26.05.2011; 19.07.2011; 06.09.2011; 28.10.2011; 04.01.2012; 05.09.2012; 20.10.2012; 24.01.2013; 10.09.2013; 30.10.2013; 10.09.2014; 06.11.2014; 09.09.2015; 05.11.2015; 20.01.2016; 29.10.2016; 18.10.2017; 09.11.2018; 28.04.2020; 04.06.2020
Verfahrensdaten
Nr. Verfahrensart Verfahrensstand Verfahrensstandstag Verfahrensstandstag aufsteigend sortiert Erstveröffentlichungstag Alle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 29.08.2002   Details anzeigen
2 Prüfungsverfahren Prüfungsantrag wirksam gestellt 29.08.2002   Details anzeigen
3 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 03.01.2003   Details anzeigen
4 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 13.01.2003   Details anzeigen
5 Publikationen Offenlegungsschrift 18.03.2004 18.03.2004 Details anzeigen
6 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 29.10.2004   Details anzeigen
7 Prüfungsverfahren Erteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung 01.08.2005   Details anzeigen
8 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 17.10.2005   Details anzeigen
9 Publikationen Patentschrift 29.12.2005 29.12.2005 Details anzeigen
10 Prüfungsverfahren Patent rechtskräftig erteilt 29.03.2006 22.06.2006 Details anzeigen
11 Verwaltungsverfahren Die Anmeldung gilt als zurückgenommen wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr/das Schutzrecht ist wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr erloschen 03.03.2020 04.06.2020 Details anzeigen