Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: 102 39 312.5 (Status: nicht anhängig/erloschen, Stand am: 5. Mai 2024)

Stammdaten
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTNicht anhängig/erloschen
21Aktenzeichen DEDAKZ102 39 312.5
54Bezeichnung/TitelTIVerfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Driftzone und einer Feldstoppzone und Halbleiterbauelement mit einer Driftzone und einer Feldstoppzone
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)		 H01L 21/331 (2006.01)
51IPC-Nebenklasse(n)ICS
(ICSV)		 H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
22Anmeldetag DEDAT27.08.2002
43OffenlegungstagOT25.03.2004
Veröffentlichungstag der ErteilungPET17.08.2006
71/73Anmelder/InhaberINHInfineon Technologies AG, 81669 München, DE
72ErfinderINRüb, Michael, Dr., Faak a. See, AT; Strack, Helmut, Dr., 80804 München, DE
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE000010239312A1
Recherchierbarer Text: DE000010239312A1
Originaldokument: DE000010239312B4
Recherchierbarer Text: DE000010239312B4
Zustellanschrift Infineon Technologies AG Intellectual Property, 80506 München, DE
Zuständige Patentabteilung 33
57ZusammenfassungABDie Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Driftzone eines ersten Leitungstyps und einer stärker als die Driftzone dotierten und sich an diese anschließende Feldstoppzone des ersten Leitungstyps, das folgende Verfahrensschritte aufweist:$A - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers mit einer Halbleiterschicht, die eine Grunddotierung des ersten Leitungstyps und eine freiliegende Vorderseite aufweist,$A - Einbringen von Dotierstoffatomen des zweiten Leitungstyps über die Vorderseite in einen Driftzonenbereich, der von der Vorderseite bis in eine vorgegebene Tiefe reicht, die geringer ist als eine Dicke der Halbleiterschicht.$A Des weiteren betrifft die Erfindung ein mittels eines solchen Verfahrens hergestelltes Halbleiterbauelement.
56Entgegenhaltungen/ZitateCT DE000019731495C2 (DE 197 31 495 C2)
DE000010000754A1 (DE 100 00 754 A1)
US000006100169A (US 61 00 169)
US000005648283A (US 56 48 283)
WO002001020656A2 (WO 2001/20 656 A2)
43ErstveröffentlichungstagEVT25.03.2004
Anzahl der Bescheide 2
Anzahl der Erwiderungen 2
Erstmalige Übernahme in DPMAregisterEREGT26.05.2011
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT07.01.2024
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)26.05.2011; 18.07.2011; 06.09.2011; 28.10.2011; 04.01.2012; 05.09.2012; 20.10.2012; 24.01.2013; 10.09.2013; 30.10.2013; 10.09.2014; 06.11.2014; 09.09.2015; 05.11.2015; 20.01.2016; 29.10.2016; 17.04.2018; 24.05.2018; 07.01.2024
Verfahrensdaten
Nr. Verfahrensart Verfahrensstand Verfahrensstandstag Verfahrensstandstag aufsteigend sortiert Erstveröffentlichungstag Alle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 27.08.2002   Details anzeigen
2 Prüfungsverfahren Prüfungsantrag wirksam gestellt 27.08.2002   Details anzeigen
3 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 10.02.2003   Details anzeigen
4 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 11.02.2003   Details anzeigen
5 Publikationen Offenlegungsschrift 25.03.2004 25.03.2004 Details anzeigen
6 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 17.10.2005   Details anzeigen
7 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 28.12.2005   Details anzeigen
8 Prüfungsverfahren Erteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung 22.03.2006   Details anzeigen
9 Publikationen Patentschrift 17.08.2006 17.08.2006 Details anzeigen
10 Prüfungsverfahren Patent rechtskräftig erteilt 17.11.2006 15.02.2007 Details anzeigen
11 Verwaltungsverfahren Die Anmeldung gilt als zurückgenommen wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr/das Schutzrecht ist wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr erloschen 01.03.2018 24.05.2018 Details anzeigen