Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: 10 2008 035 537.2 (Status: anhängig/in Kraft, Stand am: 4. Mai 2024)

Stammdaten
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTAnhängig/in Kraft
21Aktenzeichen DEDAKZ10 2008 035 537.2
54Bezeichnung/TitelTIHalbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Bildung
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)		 H01L 21/337 (2006.01)
51IPC-Nebenklasse(n)ICS
(ICSV)		 H01L 29/808 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
22Anmeldetag DEDAT30.07.2008
43OffenlegungstagOT23.04.2009
Veröffentlichungstag der ErteilungPET20.12.2012
71/73Anmelder/InhaberINHInfineon Technologies Austria AG, Villach, AT
72ErfinderINTreu, Michael, Dr., Villach, AT; Rupp, Roland, Dr., 91207 Lauf, DE; Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT; Elpelt, Rudolf, Dr., 91054 Erlangen, DE
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE102008035537A1
Recherchierbarer Text: DE102008035537A1
Originaldokument: DE102008035537B4
Recherchierbarer Text: DE102008035537B4
Zustellanschrift Intellectual Property Infineon Technologies AG, 80506 München, DE
33
31
32
Ausländische PrioritätPRC
PRNA
PRDA
US
11/830,542
30.07.2007
FälligkeitFT
FG		31.07.2024
Jahresgebühr für das 17. Jahr Gebühren für Patentschutz
Zuständige Patentabteilung 33
57ZusammenfassungABEs wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung bereitgestellt. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines Halbleiterkörpers eines ersten Leitfähigkeitstyps, wobei der Halbleiterkörper eine erste Oberfläche (11) aufweist. In dem Halbleiterkörper wird wenigstens ein vergrabenes Gebiet (14) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet und an der ersten Oberfläche (11) des Halbleiterkörpers wird wenigstens ein Oberflächengebiet (16) des zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet, wobei das vergrabene Gebiet (14) und das Oberflächengebiet (16) in der Weise ausgebildet werden, dass sie voneinander beabstandet sind. Das vergrabene Gebiet (14) wird durch tiefe Implantation eines ersten Dotierungsmittels (12) des zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet.
56Entgegenhaltungen/ZitateCT US000007221010B2 (US 7 221 010 B2)
43ErstveröffentlichungstagEVT23.04.2009
Anzahl der Bescheide 2
Anzahl der Erwiderungen 2
Erstmalige Übernahme in DPMAregisterEREGT27.05.2011
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT03.10.2023
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)27.05.2011; 03.06.2011; 19.07.2011; 06.08.2011; 27.09.2011; 11.10.2011; 25.11.2011; 26.11.2011; 29.11.2011; 01.12.2011; 10.12.2011; 02.06.2012; 07.08.2012; 14.08.2012; 15.08.2012; 24.08.2012; 26.09.2012; 04.10.2012; 30.10.2012; 20.12.2012; 25.12.2012; 08.01.2013; 07.05.2013; 25.05.2013; 28.05.2013; 27.06.2013; 03.08.2013; 07.08.2013; 24.09.2013; 01.10.2013; 28.02.2014; 04.10.2014; 07.08.2015; 01.10.2015; 26.01.2016; 01.10.2016; 22.09.2017; 19.09.2018; 08.10.2019; 01.10.2020; 23.07.2021; 29.09.2021; 30.09.2022; 03.10.2023
Verfahrensdaten
Nr. Verfahrensart Verfahrensstand Verfahrensstandstag Verfahrensstandstag aufsteigend sortiert Erstveröffentlichungstag Alle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 30.07.2008   Details anzeigen
2 Prüfungsverfahren Prüfungsantrag wirksam gestellt 30.07.2008   Details anzeigen
3 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 13.01.2009   Details anzeigen
4 Publikationen Offenlegungsschrift 23.04.2009 23.04.2009 Details anzeigen
5 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 17.01.2011   Details anzeigen
6 Prüfungsverfahren Prüfungsbescheid 01.06.2012   Details anzeigen
7 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 03.08.2012   Details anzeigen
8 Prüfungsverfahren Erteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung 14.08.2012   Details anzeigen
9 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 14.08.2012 04.10.2012 Details anzeigen
10 Publikationen Patentschrift 20.12.2012 20.12.2012 Details anzeigen
11 Prüfungsverfahren Patent rechtskräftig erteilt 21.03.2013 27.06.2013 Details anzeigen
12 Vertreteränderung Änderung des Vertreters 27.05.2013   Details anzeigen