Stammdaten| INID | Kriterium | Feld | Inhalt |
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| Schutzrechtsart | SART | Patent |
| Status | ST | Nicht anhängig/erloschen |
| 21 | Aktenzeichen DE | DAKZ | 10 2006 062 289.8 |
| 54 | Bezeichnung/Titel | TI | Verfahren zur Herstellung eindimensionaler koaxialer Ge/SiC↓x↓N↓y↓-Heterostrukturen, derartige Struktur und Verwendung der Struktur |
| 51 | IPC-Hauptklasse | ICM
(ICMV) | B82B 3/00 (2006.01) |
| 51 | IPC-Nebenklasse(n) | ICS
(ICSV) | B82B 1/00 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01) |
| 22 | Anmeldetag DE | DAT | 27.12.2006 |
| 43 | Offenlegungstag | OT | 03.07.2008 |
| 71/73 | Anmelder/Inhaber | INH | Leibniz-Institut für Neue Materialien gemeinnützige GmbH, 66123 Saarbrücken, DE |
| 72 | Erfinder | IN | Donia, Nicole, Dr., 66578 Schiffweiler, DE; Mathur, Sanjay, Prof., 66125 Saarbrücken, DE; Shen, Hao, Dr., 66125 Saarbrücken, DE |
| 74 | Vertreter | VTR | Patentanwaltskanzlei Vièl und Wieske PartGmbB, 66119 Saarbrücken, DE |
| 10 | Veröffentlichte DE-Dokumente | DEPN | Originaldokument:
DE102006062289A1
Recherchierbarer Text:
DE102006062289A1 |
| Zustellanschrift | | Patentanwaltskanzlei Vièl und Wieske PartGmbB, 66143 Saarbrücken, DE |
| Zuständige Patentabteilung | | 54 |
| 57 | Zusammenfassung | AB | Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eindimensionaler (1-D) koaxialer Ge/SiC↓x↓N↓y↓-Heterostrukturen, eine derartige Struktur und die Verwendung der Struktur.$A Um ein Verfahren zum Herstellen eindimensionaler koaxialer Ge/SiC↓x↓N↓y↓-Heterostrukturen zu schaffen, wird im Rahmen der Erfindung vorgeschlagen, dass in der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) der Precursor Ge[N(SiMe↓3↓)]↓2↓ oder Homologe verwendet werden.$A Auf diese Weise wurde es erstmals möglich, einkristalline Germanium-Nanowires mit chemisch und mechanisch stabiler Schale aus SiC↓x↓N↓y↓ zu schaffen. Der einstufige Prozess beruht auf molekülbasierter CVD mittels Ge[N(SiMe↓3↓)]↓2↓ als Precursor und erlaubt die direkte Herstellung von koaxialen Ge/SiC↓x↓N↓y↓-Heterostrukturen. |
| 56 | Entgegenhaltungen/Zitate | CT |
US020040144970A1 (US2004/01 44 970 A1)
WO002005095684A1 (WO 2005/0 95 684 A1)
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| 56 | Entgegenhaltungen/Zitate NPL | CTNP | S. Mathur et al.: "Germanium nanowires and coreshell nanostructures by chemical vapor deposition of [Ge(C↓5↓H↓5↓)↓2↓]". Chem. Mater. 16, pp. 2449-2456 (2004);
H. Gerung et al.: "Anhydrous solution synthesis of gemanium nanocrystals from the germanium (II) precursor Ge[N(SiMe↓3↓)↓2↓]↓2↓". Chem. Commun., 2005, pp. 1914-1916 (2005);
O. Margeat et al.: "Synthesis of iron nanoparticles: Size effects, shape control and organisation". Progress in Solid State Chemistry 33, pp. 71-79, (2005);
H. Gerung et al.: "Control of germanium nanocrystal morphology and surface funtionalization". AlChE Annual Meeting, Conference Proceedings, Oct 30-Nov 4 2005, Abstract;
S. Mathur et al.: "One-Dimensional Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization and Device Applications". Proc. of SPIE 6340, pp. 634008-1 -8;
H. Gerung et al.: "Solution Synthesis of Germanium Nanowires Using a Ge ↑2+↑ Alkoxide Precursor". J. Am. Chem. Soc. 128, pp. 5244-5250 (March 2006) |
| 43 | Erstveröffentlichungstag | EVT | 03.07.2008 |
| Anzahl der Bescheide | | 1 |
| Anzahl der Erwiderungen | | 0 |
| Erstmalige Übernahme in DPMAregister | EREGT | 26.05.2011 |
| Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregister | REGT | 23.01.2016
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)26.05.2011; 29.01.2013; 23.01.2016 |
