Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: 10 2006 046 845.7 (Status: anhängig/in Kraft, Stand am: 15. Mai 2024)

Stammdaten
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTAnhängig/in Kraft
21Aktenzeichen DEDAKZ10 2006 046 845.7
54Bezeichnung/TitelTIHalbleiterbauelement mit verbesserter Robustheit
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)
H01L 29/06 (2006.01)
51IPC-Nebenklasse(n)ICS
(ICSV)
H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/74 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
22Anmeldetag DEDAT02.10.2006
43OffenlegungstagOT03.04.2008
Veröffentlichungstag der ErteilungPET05.12.2013
71/73Anmelder/InhaberINHInfineon Technologies Austria AG, Villach, AT
72ErfinderINSchulze, Hans-Joachim, Dr., 85521 Ottobrunn, DE; Lutz, Josef, Prof., 09126 Chemnitz, DE
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE102006046845A1
Recherchierbarer Text: DE102006046845A1
Originaldokument: DE102006046845B4
Recherchierbarer Text: DE102006046845B4
Zustellanschrift Intellectual Property Infineon Technologies AG, 80506 München, DE
FälligkeitFT
FG
31.10.2024
Jahresgebühr für das 19. Jahr Gebühren für Patentschutz
Zuständige Patentabteilung 33
57ZusammenfassungABDie vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement, das aufweist:$A eine Anschlusszone (11), $A eine schwächer als die Anschlusszone (11) dotierte Driftzone (12) eines ersten Leitungstyps,$A einen Bauelementübergang zwischen der Driftzone (12) und einer weiteren Bauelementzone (14), und $A eine zwischen der Driftzone (12) und der Anschlusszone angeordnete Ladungsträgerkompensationszone (13) des ersten Leitungstyps, deren Dotierungskonzentration geringer ist als die der Anschlusszone (11), deren Dotierungskonzentration wenigstens abschnittsweise in Richtung der Anschlusszone (11) von einer minimalen Dotierungskonzentration zu einer maximalen Dotierungskonzentration zunimmt, wobei die minimale Dotierungskonzentration mehr als 10↑16↑ cm↑-3↑ beträgt.
56Entgegenhaltungen/ZitateCT DE000003932490C2 (DE 39 32 490 C2)
DE102005009000A1 (DE 10 2005 009 000 A1)
DE102004039209A1 (DE 10 2004 039 209 A1)
DE000010360574A1 (DE 103 60 574 A1)
US000006384431B1 (US 6 384 431 B1)
US000003872494A (US 3 872 494 A)
DE000010053445C2 (DE 100 53 445 C2)
DE000010245091A1 (DE 102 45 091 A1)
43ErstveröffentlichungstagEVT03.04.2008
Anzahl der Bescheide 1
Anzahl der Erwiderungen 1
Erstmalige Übernahme in DPMAregisterEREGT26.05.2011
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT10.01.2024
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)26.05.2011; 17.07.2011; 05.11.2011; 13.01.2012; 06.11.2012; 10.01.2013; 11.06.2013; 02.08.2013; 03.08.2013; 06.08.2013; 15.08.2013; 26.09.2013; 16.10.2013; 25.10.2013; 30.10.2013; 07.11.2013; 05.12.2013; 10.12.2013; 15.01.2014; 25.02.2014; 01.03.2014; 22.04.2014; 29.04.2014; 03.05.2014; 09.05.2014; 28.05.2014; 05.07.2014; 14.01.2015; 10.11.2015; 15.01.2016; 13.01.2017; 10.11.2017; 06.01.2018; 22.12.2018; 19.12.2019; 13.01.2021; 23.07.2021; 14.12.2021; 06.01.2023; 12.11.2023; 10.01.2024
Verfahrensdaten
Nr. Verfahrensart Verfahrensstand Verfahrensstandstag Verfahrensstandstag aufsteigend sortiert Erstveröffentlichungstag Alle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 02.10.2006   Details anzeigen
2 Prüfungsverfahren Prüfungsantrag wirksam gestellt 02.10.2006   Details anzeigen
3 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 12.12.2006   Details anzeigen
4 Publikationen Offenlegungsschrift 03.04.2008 03.04.2008 Details anzeigen
5 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 04.06.2010   Details anzeigen
6 Prüfungsverfahren Erteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung 05.08.2013   Details anzeigen
7 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 05.08.2013 26.09.2013 Details anzeigen
8 Publikationen Patentschrift 05.12.2013 05.12.2013 Details anzeigen
9 Prüfungsverfahren Patent rechtskräftig erteilt 06.03.2014 28.05.2014 Details anzeigen
10 Vertreteränderung Änderung des Vertreters 28.04.2014   Details anzeigen