Stammdaten| INID | Kriterium | Feld | Inhalt |
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| Schutzrechtsart | SART | Patent |
| Status | ST | Nicht anhängig/erloschen |
| 21 | Aktenzeichen DE | DAKZ | 10 2005 047 054.8 |
| 54 | Bezeichnung/Titel | TI | Leistungs-MOS-Transistor mit einer SiC-Driftzone und Verfahren zur Herstellung eines Leistungs-MOS-Transistors |
| 51 | IPC-Hauptklasse | ICM
(ICMV) | H01L 29/78 (2006.01) |
| 51 | IPC-Nebenklasse(n) | ICS
(ICSV) | H01L 21/336 (2006.01) |
| 22 | Anmeldetag DE | DAT | 30.09.2005 |
| 43 | Offenlegungstag | OT | 12.04.2007 |
| Veröffentlichungstag der Erteilung | PET | 03.04.2008 |
| 71/73 | Anmelder/Inhaber | INH | Infineon Technologies Austria AG, Villach, AT |
| 72 | Erfinder | IN | Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT; Treu, Michael, Dr., Villach, AT; Baumgartl, Johannes, Dr., Riegersdorf, AT |
| 74 | Vertreter | VTR | Westphal, Mussgnug & Partner Patentanwälte mit beschränkter Berufshaftung, 81541 München, DE |
| 10 | Veröffentlichte DE-Dokumente | DEPN | Originaldokument:
DE102005047054A1
Recherchierbarer Text:
DE102005047054A1
Originaldokument:
DE102005047054B4
Recherchierbarer Text:
DE102005047054B4 |
| Zustellanschrift | | Infineon Technologies AG Intellectual Property, 80506 München, DE |
| Zuständige Patentabteilung | | 33 |
| 57 | Zusammenfassung | AB | Die Erfindung betrifft einen Leistungs-MOS-Transistor, der aufweist:$A - einen Halbleiterkörper (100) mit einer Driftzone (11) eines ersten Leitungstyps, einer Source-Zone (14) des ersten Leitungstyps und einer zwischen der Source-Zone (14) und der Driftzone (11) angeordnete Body-Zone (13) eines zweiten, zu dem ersten Leitungstyp komplementären Leitungstyps,$A - eine Gate-Elektrode (23), die benachbart zu der Body-Zone (13) angeordnet und dielektrisch gegenüber der Body-Zone (13), der Source-Zone (14) und der Driftzone (11) isoliert ist, wobei$A - der Halbleiterkörper (100) eine erste Halbleiterschicht (110) aus Siliziumcarbid (SiC) und eine zweite Halbleiterschicht (120) aus einem Halbleitermaterial mit einem anderen Bandabstand als Siliziumcarbid aufweist und wobei$A - die Body-Zone (13) und die Source-Zone (14) wenigstens abschnittsweise in der zweiten Halbleiterschicht (120) angeordnet sind und die Driftzone (11) wenigstens abschnittsweise in der ersten Halbleiterschicht (110) angeordnet ist. |
| 56 | Entgegenhaltungen/Zitate | CT |
DE000019641839A1 (DE 196 41 839 A1)
DE000010130158A1 (DE 101 30 158 A1)
US000006307232B1 (US 63 07 232 B1)
US020040007715A1 (US2004/00 07 715 A1)
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| 56 | Entgegenhaltungen/Zitate NPL | CTNP | Patent Abstract of Japan: JP 2003-249 652 A;
Yih, P.H. u.a.: SiC/Si Heterojunction Diodes Fabricated by Self-Selective and by Blanket Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition. In: IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 41, No. 3, 1994, S. 281-287 |
| 43 | Erstveröffentlichungstag | EVT | 12.04.2007 |
| Anzahl der Bescheide | | 3 |
| Anzahl der Erwiderungen | | 2 |
| Erstmalige Übernahme in DPMAregister | EREGT | 27.05.2011 |
| Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregister | REGT | 25.06.2020
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)27.05.2011; 19.07.2011; 05.10.2011; 26.11.2011; 01.05.2012; 09.10.2012; 23.11.2012; 27.01.2013; 08.10.2013; 29.11.2013; 08.10.2014; 02.12.2014; 08.10.2015; 03.12.2015; 25.11.2016; 11.10.2017; 09.12.2017; 06.12.2018; 19.05.2020; 25.06.2020 |
