| 72 | Erfinder | IN | Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT; Schäfer, Herbert, Dr., 85635 Höhenkirchen-Siegertsbrunn, DE; Willmeroth, Armin, 86163 Augsburg, DE; Mauder, Anton, Dr., 83059 Kolbermoor, DE; Schulze, Hans-Joachim, Dr., 85521 Ottobrunn, DE; Sedlmaier, Stefan, Dr., 80995 München, DE; Pfirsch, Frank, Dr., 81545 München, DE; Hirler, Franz, Dr., 84424 Isen, DE; Pippan, Manfred, Dr., Nötsch, AT; Weber, Hans, Dr., 83404 Ainring, DE; Rupp, Roland, Dr., 91207 Lauf, DE |
| 57 | Zusammenfassung | AB | Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren soll ein Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (10) hergestellt werden, in dem eine sehr dünne Dielektrikumsschicht (50) mit in vertikaler Richtung (v) verlaufenden Abschnitt angeordnet ist, welche sich sehr tief in den Halbleiterkörper (10) hineinerstrecken.$A Dazu wird in dem Halbleiterkörper (10) ein breiter Graben erzeugt, dessen Seitenwände mit einer dünnen Beschichtung versehen werden. Die herzustellende Dielektrikumsschicht (50) wird aus einem oder mehreren Abschnitten dieser dünnen Beschichtung gebildet.$A Alternativ dazu können der eine oder die mehreren Abschnitte der Beschichtung als Opferschichten ausgebildet sein und nach ihrem Entfernen durch das Material der herzustellenden Dielektrikumsschicht (50) ersetzt werden.$A Auf die Beschichtung wird zumindest an den Grabenseitenwänden eine kristalline oder monokristalline Anwachsschicht aufgebracht. Die verbleibenden Restgräben werden zumindest teilweise mit Halbleiter-Füllmaterial und optional zusätzlich mit einem Dielektrikum aufgefüllt.$A Bei beiden Varianten ist es möglich, nach dem Ätzen der Gräben und vor dem Aufbringen der Beschichtung noch eine Verspannschicht (80) und eine Kanalschicht (81) aufzubringen. Die Gitterkonstante der Verspannschicht (80) weicht von der natürlichen Gitterkonstante des Materials der Kanalschicht (81) ab, so dass die Kanalschicht (81) verspannt wird, wodurch sich ihre Leitfähigkeit verbessert. |
