Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: 10 2005 012 217.5 (Status: nicht anhängig/erloschen, Stand am: 29. April 2024)

Stammdaten
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTNicht anhängig/erloschen
21Aktenzeichen DEDAKZ10 2005 012 217.5
54Bezeichnung/TitelTILateraler MISFET und Verfahren zur Herstellung desselben
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)		 H01L 29/78 (2006.01)
51IPC-Nebenklasse(n)ICS
(ICSV)		 H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
22Anmeldetag DEDAT15.03.2005
43OffenlegungstagOT21.09.2006
Veröffentlichungstag der ErteilungPET22.02.2007
71/73Anmelder/InhaberINHInfineon Technologies Austria AG, Villach, AT
72ErfinderINTolksdorf, Carolin, Dipl.-Phys., 82327 Tutzing, DE; Willmeroth, Armin, Dipl.-Phys., 86163 Augsburg, DE; Rüb, Michael, Dr.rer.nat., Faak am See, AT; Schmitt, Markus, Dipl.-Phys., 85630 Grasbrunn, DE; Wahl, Uwe, Dr.-Ing., 80798 München, DE
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE102005012217A1
Recherchierbarer Text: DE102005012217A1
Originaldokument: DE102005012217B4
Recherchierbarer Text: DE102005012217B4
Zustellanschrift Infineon Technologies AG Intellectual Property, 80506 München, DE
Zuständige Patentabteilung 33
57ZusammenfassungABDie Erfindung betrifft einen lateralen MISFET mit einem Halbleiterkörper (3) aus einem dotierten Halbleitersubstrat (4) eines ersten Leitungstyps und aus einer auf dem Halbleitersubstrat (4) vorgesehenen Epitaxieschicht (5) eines zum ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps. Dieser MISFET weist auf der Oberseite des Halbleiterkörpers (3) eine Drainelektrode (6), eine Sourceelektrode (7), eine Gateelektrode (8) mit Gateisolator (9) auf. An den Gateisolator angrenzend ist in der Epitaxieschicht (5) eine Halbleiterzone (10) des ersten Leitungstyps eingebettet, wobei zwischen der Halbleiterzone (10) und der Drainelektrode (6) eine Driftzone (11) des zweiten Leitungstyps in der Epitaxieschicht (5) angeordnet ist. Diese Driftzone (11) weist in Zeilen und Spalten angeordnete säulenförmige Gebiete (14) auf, deren Grenzschichten (15) eine Metallschicht (16) aufweisen, die zu dem Material der Driftzone (11) jeweils einen Schottky-Kontakt (17) bilden. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des lateralen MISFETs.
56Entgegenhaltungen/ZitateCT DE000019828191C1 (DE 198 28 191 C1)
US020040222461A1 (US2004/02 22 461 A1)
EP000000201945B1 (EP 02 01 945 B1)
43ErstveröffentlichungstagEVT21.09.2006
Anzahl der Bescheide 2
Anzahl der Erwiderungen 2
Erstmalige Übernahme in DPMAregisterEREGT27.05.2011
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT24.12.2019
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)27.05.2011; 17.06.2011; 21.06.2011; 09.07.2011; 18.07.2011; 18.02.2012; 07.04.2012; 01.05.2012; 26.05.2012; 27.01.2013; 10.04.2013; 04.06.2013; 01.08.2013; 08.04.2014; 29.05.2014; 08.04.2015; 29.05.2015; 03.06.2016; 31.05.2017; 06.06.2018; 19.11.2019; 24.12.2019
Verfahrensdaten
Nr. Verfahrensart Verfahrensstand Verfahrensstandstag Verfahrensstandstag aufsteigend sortiert Erstveröffentlichungstag Alle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 15.03.2005   Details anzeigen
2 Prüfungsverfahren Prüfungsantrag wirksam gestellt 15.03.2005   Details anzeigen
3 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 26.07.2005   Details anzeigen
4 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 17.10.2005   Details anzeigen
5 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 11.07.2006   Details anzeigen
6 Publikationen Offenlegungsschrift 21.09.2006 21.09.2006 Details anzeigen
7 Prüfungsverfahren Erteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung 20.10.2006   Details anzeigen
8 Publikationen Patentschrift 22.02.2007 22.02.2007 Details anzeigen
9 Prüfungsverfahren Patent rechtskräftig erteilt 22.05.2007 16.08.2007 Details anzeigen
10 Verwaltungsverfahren Die Anmeldung gilt als zurückgenommen wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr/das Schutzrecht ist wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr erloschen 01.10.2019 24.12.2019 Details anzeigen