Stammdaten| INID | Kriterium | Feld | Inhalt |
|---|
| Schutzrechtsart | SART | Patent |
| Status | ST | Nicht anhängig/erloschen |
| 21 | Aktenzeichen DE | DAKZ | 10 2004 063 991.4 |
| 54 | Bezeichnung/Titel | TI | Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleitergebieten in einem Halbleiterkörper eines lateralen Trenchtransistors |
| 51 | IPC-Hauptklasse | ICM
(ICMV) | H01L 21/336 (2006.01) |
| 51 | IPC-Nebenklasse(n) | ICS
(ICSV) | H01L 29/78 (2006.01) |
| 22 | Anmeldetag DE | DAT | 29.10.2004 |
| 43 | Offenlegungstag | OT | 08.05.2008 |
| Veröffentlichungstag der Erteilung | PET | 18.06.2009 |
| 71/73 | Anmelder/Inhaber | INH | Infineon Technologies AG, 85579 Neubiberg, DE |
| 72 | Erfinder | IN | Hirler, Franz, Dr., 84424 Isen, DE; Wahl, Uwe, Dr.-Ing., 80798 München, DE; Meyer, Thorsten, Dr., 81545 München, DE; Rüb, Michael, Dr., Faak am See, AT; Willmeroth, Armin, 86163 Augsburg, DE; Schmitt, Markus, 81373 München, DE; Tolksdorf, Carolin, 82327 Tutzing, DE; Schäffer, Carsten, Sattendorf, AT |
| 10 | Veröffentlichte DE-Dokumente | DEPN | Originaldokument:
DE102004063991A1
Recherchierbarer Text:
DE102004063991A1
Originaldokument:
DE102004063991B4
Recherchierbarer Text:
DE102004063991B4 |
| Zustellanschrift | | Infineon Technologies AG Intellectual Property, 80506 München, DE |
| Zuständige Patentabteilung | | 33 |
| 62 | Teilung/Ausscheidung aus AKZ | TAAKZ | 10 2004 052 643.5 |
| 57 | Zusammenfassung | AB | Ein Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleitergebieten (3, 4, 5, 14) in einem Halbleiterkörper (2) eines lateralen Trenchtransistors (1, 100, 200) beinhaltet die folgenden Schritte:$A - Ausbilden eines Trenchs (6, 20, 21) in dem Halbleiterkörper,$A - Einbringen von Dotierstoffen in wenigstens einen an den Trench angrenzenden Bereich des Halbleiterkörpers (2), indem Implantations-, Belegungs- oder Eindiffusionsprozesse ausgeführt werden, derart, dass während dieser Prozesse entsprechende Dotierstoffe durch die Innenwände des Trenchs (6, 20, 21) in den wenigstens einen Bereich eintreten,$A wobei der Trench (20, 21) kein Gatetrench (6) ist, jedoch so von einem Gatetrench (6) beabstandet ist, dass das Eindringen der Dotierstoffe in den Halbleiterkörper, die zur Ausbildung der Source- und Bodygebiete dienen, beziehungsweise das anschließende Ausdiffundieren dieser Dotierstoffe die Erzeugung von MOS-Strukturen an zumindest einem Teil der Außenwände des Gatetrenchs bewirkt. |
| 56 | Entgegenhaltungen/Zitate | CT |
DE000019743342C2 (DE 197 43 342 C2)
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| 43 | Erstveröffentlichungstag | EVT | 08.05.2008 |
| Anzahl der Bescheide | | 1 |
| Anzahl der Erwiderungen | | 1 |
| Erstmalige Übernahme in DPMAregister | EREGT | 26.05.2011 |
| Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregister | REGT | 22.07.2020
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)26.05.2011; 20.07.2011; 05.11.2011; 13.01.2012; 06.11.2012; 10.01.2013; 08.11.2013; 15.01.2014; 08.11.2014; 14.01.2015; 10.11.2015; 15.01.2016; 13.01.2017; 06.01.2018; 22.12.2018; 16.06.2020; 22.07.2020 |
