Stammdaten| INID | Kriterium | Feld | Inhalt |
|---|
| Schutzrechtsart | SART | Patent |
| Status | ST | Nicht anhängig/erloschen |
| 21 | Aktenzeichen DE | DAKZ | 10 2004 039 208.0 |
| 54 | Bezeichnung/Titel | TI | Verfahren zur Herstellung eines Leistungsbauelements mit einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone und Leistungsbauelement |
| 51 | IPC-Hauptklasse | ICM
(ICMV) | H01L 21/265 (2006.01) |
| 51 | IPC-Nebenklasse(n) | ICS
(ICSV) | H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/22 (2006.01) |
| 22 | Anmeldetag DE | DAT | 12.08.2004 |
| 43 | Offenlegungstag | OT | 23.02.2006 |
| Veröffentlichungstag der Erteilung | PET | 16.01.2014 |
| 71/73 | Anmelder/Inhaber | INH | Infineon Technologies AG, 81669 München, DE |
| 72 | Erfinder | IN | Siemieniec, Ralf, Dr., 81737 München, DE; Niedernostheide, Franz-Josef, Dr., 48157 Münster, DE; Schulze, Hans-Joachim, Dr., 85521 Ottobrunn, DE; Lutz, Josef, Dr., 09126 Chemnitz, DE |
| 10 | Veröffentlichte DE-Dokumente | DEPN | Originaldokument:
DE102004039208A1
Recherchierbarer Text:
DE102004039208A1
Originaldokument:
DE102004039208B4
Recherchierbarer Text:
DE102004039208B4 |
| Zustellanschrift | | Intellectual Property Infineon Technologies AG, 80506 München, DE |
| Zuständige Patentabteilung | | 43 |
| 62 | Teilung/Ausscheidung in AKZ | TIAKZ | 10 2004 064 267.2 |
| 57 | Zusammenfassung | AB | Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen n-dotierten Halbleiterzone in einem Halbleiterkörper, das folgende Verfahrensschritte aufweist:$A - Erzeugen einer Sauerstoffkonzentration wenigstens in dem zu dotierenden Bereich in dem Halbleiterkörper,$A - Bestrahlen des Halbleiterkörpers über eine Seite mit nicht-dotierenden Teilchen zur Erzeugung von Defekten in dem zu dotierenden Bereich,$A - Durchführen eines Temperaturschrittes bei Temperaturen zwischen 380°C und 500°C, vorzugsweise zwischen 420°C und 460°C.$A Die Erfindung betrifft außerdem ein Halbleiterbauelement mit einer nach diesem Verfahren hergestellten Feldstoppzone. |
| 56 | Entgegenhaltungen/Zitate | CT |
DE000010245089A1 (DE 102 45 089 A1)
DE000010240107A1 (DE 102 40 107 A1)
US000006610572B1 (US 6 610 572 B1)
US000006351024B1 (US 6 351 024 B1)
US020030054641A1 (US 2003 / 0 054 641 A1)
US000004379306A (US 4 379 306 A)
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| 56 | Entgegenhaltungen/Zitate NPL | CTNP | WIDMANN,D., MADER,H., FRIEDRICH,H.: Technologie hochintegrierter Schaltungen. 2. Aufl. Berlin (u.a.): Springer, 1996 (Halbleiterelektronik 19). S. 42-43. ISBN: 3-540-59357-8;
AMMERLAAN,C.A.J.: Die physikalische Beschaffenheit von TDDen. IN: EMIS Datareviews Series. 1999, Vol. 20 (Properties of crystalline silicon), S. 663-668. ISBN: 0-85296-933-3 |
| 43 | Erstveröffentlichungstag | EVT | 23.02.2006 |
| Anzahl der Bescheide | | 4 |
| Anzahl der Erwiderungen | | 4 |
| Erstmalige Übernahme in DPMAregister | EREGT | 27.05.2011 |
| Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregister | REGT | 04.06.2020
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)27.05.2011; 18.07.2011; 21.07.2011; 22.07.2011; 06.09.2011; 28.10.2011; 04.01.2012; 21.02.2012; 23.02.2012; 01.05.2012; 05.09.2012; 20.10.2012; 07.12.2012; 08.12.2012; 11.12.2012; 26.01.2013; 06.08.2013; 10.08.2013; 05.09.2013; 10.09.2013; 11.09.2013; 12.09.2013; 17.09.2013; 26.09.2013; 22.10.2013; 23.10.2013; 29.10.2013; 27.11.2013; 06.12.2013; 11.12.2013; 19.12.2013; 16.01.2014; 21.01.2014; 28.02.2014; 01.03.2014; 03.05.2014; 04.07.2014; 06.11.2014; 03.12.2014; 12.12.2014; 15.01.2015; 10.02.2015; 08.09.2015; 05.11.2015; 22.01.2016; 03.11.2016; 09.09.2017; 18.10.2017; 09.11.2018; 28.04.2020; 04.06.2020 |
