Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: 101 29 346.1 (Status: nicht anhängig/erloschen, Stand am: 4. Mai 2024)

Stammdaten
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTNicht anhängig/erloschen
21Aktenzeichen DEDAKZ101 29 346.1
54Bezeichnung/TitelTIVerfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)		 H01L 21/301 (2006.01)
51IPC-Nebenklasse(n)ICS
(ICSV)		 H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
22Anmeldetag DEDAT19.06.2001
43OffenlegungstagOT09.01.2003
Veröffentlichungstag der ErteilungPET31.08.2006
71/73Anmelder/InhaberINHInfineon Technologies AG, 81669 München, DE
72ErfinderINRüb, Michael, Dr., Faak am See, AT
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE000010129346A1
Recherchierbarer Text: DE000010129346A1
Originaldokument: DE000010129346B4
Recherchierbarer Text: DE000010129346B4
Zustellanschrift Infineon Technologies AG Intellectual Property, 80506 München, DE
Zuständige Patentabteilung 36
57ZusammenfassungABDie vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, bei dem ausgehend von einer Rückseite eines Wafers (100) Aussparungen (112) erzeugt werden, wodurch zwischen den Aussparungen (112) ein stützendes Gitter (110) aus Wafermaterial verbleibt, wodurch zum einen eine Bearbeitung der in den Aussparungen freiliegende Halbleiterbereich möglich ist und zum anderen eine ausreichende mechanische Stabilität des Wafers gewährleistet ist.
56Entgegenhaltungen/ZitateCT DE000010062014A1 (DE 100 62 014 A1)
US000006124612A (US 61 24 612)
US000006071819A (US 60 71 819)
US000005753014A (US 57 53 014)
US000005354695A (US 53 54 695)
US000004784721A (US 47 84 721)
US000004259682A (US 42 59 682)
US000004003127A (US 40 03 127)
EP000000429697A1 (EP 04 29 697 A1)
56Entgegenhaltungen/Zitate NPLCTNPJP 9-134893 A. In: Patent Abstracts of Japan;
A.Henberger, "Mikromechanik", Springer-Verlag, Berlin 1989;
Stengl/Tihany, "Leistungs-MOSFET-Praxis", S. 37, Pflaum-Verlag, München 1992
43ErstveröffentlichungstagEVT09.01.2003
Anzahl der Bescheide 3
Anzahl der Erwiderungen 3
Erstmalige Übernahme in DPMAregisterEREGT26.05.2011
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT07.01.2024
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)26.05.2011; 09.07.2011; 17.07.2011; 10.09.2011; 18.11.2011; 10.07.2012; 25.08.2012; 23.01.2013; 10.07.2013; 07.08.2013; 30.08.2013; 09.07.2014; 29.08.2014; 09.07.2015; 02.09.2015; 20.01.2016; 30.08.2016; 20.02.2018; 29.03.2018; 07.01.2024
Verfahrensdaten
Nr. Verfahrensart Verfahrensstand Verfahrensstandstag Verfahrensstandstag aufsteigend sortiert Erstveröffentlichungstag Alle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 19.06.2001   Details anzeigen
2 Prüfungsverfahren Prüfungsantrag wirksam gestellt 19.06.2001   Details anzeigen
3 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 20.09.2001   Details anzeigen
4 Publikationen Offenlegungsschrift 09.01.2003 09.01.2003 Details anzeigen
5 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 17.10.2005 04.05.2006 Details anzeigen
6 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 20.02.2006   Details anzeigen
7 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 01.03.2006 04.05.2006 Details anzeigen
8 Prüfungsverfahren Erteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung 07.04.2006   Details anzeigen
9 Publikationen Patentschrift 31.08.2006 31.08.2006 Details anzeigen
10 Prüfungsverfahren Patent rechtskräftig erteilt 30.11.2006 01.03.2007 Details anzeigen
11 Verwaltungsverfahren Die Anmeldung gilt als zurückgenommen wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr/das Schutzrecht ist wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr erloschen 03.01.2018 29.03.2018 Details anzeigen