Stammdaten| INID | Kriterium | Feld | Inhalt |
|---|
| Schutzrechtsart | SART | Patent |
| Status | ST | Nicht anhängig/erloschen |
| 21 | Aktenzeichen DE | DAKZ | 101 00 438.9 |
| 54 | Bezeichnung/Titel | TI | Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements und Sensorelement |
| 51 | IPC-Hauptklasse | ICM
(ICMV) | B81C 1/00 (2006.01) |
| 51 | IPC-Nebenklasse(n) | ICS
(ICSV) | B81B 3/00 (2006.01), G01L 9/12 (2006.01), G01P 15/125 (2006.01) |
| 22 | Anmeldetag DE | DAT | 08.01.2001 |
| 43 | Offenlegungstag | OT | 18.07.2002 |
| Veröffentlichungstag der Erteilung | PET | 11.05.2006 |
| 71/73 | Anmelder/Inhaber | INH | Infineon Technologies AG, 81669 München, DE |
| 72 | Erfinder | IN | Rüb, Michael, Faaker See, AT; Werner, Wolfgang, 81545 München, DE; Kolb, Stefan, 85716 Unterschleißheim, DE |
| 10 | Veröffentlichte DE-Dokumente | DEPN | Originaldokument:
DE000010100438A1
Recherchierbarer Text:
DE000010100438A1
Originaldokument:
DE000010100438B4
Recherchierbarer Text:
DE000010100438B4 |
| Zustellanschrift | | Infineon Technologies AG Intellectual Property, 80506 München, DE |
| Zuständige Patentabteilung | | 54 |
| 57 | Zusammenfassung | AB | Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Sensorelements, bei welchem nach dem Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) ein Hohlraum (2) in dem Halbleiterkörper (1) erzeugt wird und bei dem anschließend eine Isolationszone (30) zwischen einem den Hohlraum (2) teilweise umgebenden ersten Elektrodenbereich (14) und einem den Hohlraum (2) teilweise umgebenden zweiten Elektrodenbereich (12) des Halbleiterkörpers (1) hergestellt wird. Gegenstand der Erfindung ist des weiteren ein Sensorelement mit einer ersten und zweiten Elektrode (12, 14), wobei diese Elektrode (12, 14) aus einem einkristallinen Halbleitermaterial desselben Halbleiterkörpers gebildet sind. |
| 56 | Entgegenhaltungen/Zitate | CT |
DE000010003066A1 (DE 100 03 066 A1)
|
| 56 | Entgegenhaltungen/Zitate NPL | CTNP | SATO, TSUTOMU et. al.: A New Substrate Engineering for the formation of Empty Space in Silicon (ESS) ... In: IEDM 99, pp. 517-520;
WEIGOLD, J.W. et.al.: Fabrication of Thick Si Resonators with a Frontside Release Etch-Diffusion Process. In: Journal of Microelectromechemical Systems, Vol. 7, No. 2, June 1998, pp. 201-206;
BOSER, B.E. et.al.: Surface Micromachined Accelerometers. In: IEEE Journal of Solid-State Circuits , Vol. 31, No. 3, March 1996, pp. 366-375;
MIN, YOUNG-HOON et. al.: Modeling, design, fabrication an measurement .... In: Sensors and Actiators 78(1999), pp. 8-17;
KOVACS, G.T.A. et. a.: Micromachining of Silicon. In: Proceedings, IEEE, Vol. 86, No. 8, Aug. 1998, pp. 1536-51;
Burrer et al.:"High precision BESOI-based resonant accelerometer" in Sensors and Actuators A, 1995, Vol. 50, S. 7-12 |
| 43 | Erstveröffentlichungstag | EVT | 18.07.2002 |
| Anzahl der Bescheide | | 3 |
| Anzahl der Erwiderungen | | 2 |
| Erstmalige Übernahme in DPMAregister | EREGT | 26.05.2011 |
| Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregister | REGT | 21.10.2020
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)26.05.2011; 17.07.2011; 07.02.2012; 24.03.2012; 23.01.2013; 09.02.2013; 28.03.2013; 11.02.2014; 28.03.2014; 27.03.2015; 31.03.2016; 28.03.2017; 23.03.2018; 11.04.2019; 16.09.2020; 21.10.2020 |
