Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: 100 61 310.1 (Status: nicht anhängig/erloschen, Stand am: 4. Mai 2024)

Stammdaten
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTNicht anhängig/erloschen
21Aktenzeichen DEDAKZ100 61 310.1
54Bezeichnung/TitelTIHalbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung sowie dazugehöriges Herstellungsverfahren
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)
H01L 29/06 (2000.01)
51IPC-Nebenklasse(n)ICS
(ICSV)
H01L 29/78 (2000.01), H01L 29/739 (2000.01)
22Anmeldetag DEDAT08.12.2000
43OffenlegungstagOT27.06.2002
71/73Anmelder/InhaberINHInfineon Technologies AG, 81669 München, DE
72ErfinderINWeber, Hans, Dr., 83404 Ainring, DE; Ahlers, Dirk, Dr., 80796 München, DE; Stengl, Jens-Peer, 82284 Grafrath, DE; Deboy, Gerald, Dr., 80538 München, DE; Willmeroth, Armin, 86163 Augsburg, DE; Rüb, Michael, Dr., Faak, AT; Marion, Miguel Cuadron, 81543 München, DE
74VertreterVTRKindermann, Peter, Dipl.-Ing.Univ., 85598 Baldham, DE
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE000010061310A1
Recherchierbarer Text: DE000010061310A1
Zustellanschrift Kindermann, Peter, Dipl.-Ing.Univ., 85598 Baldham, DE
Zuständige Patentabteilung 33
57ZusammenfassungABDie Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit erhöhter Durchbruchspannung mit einer aktiven Struktur (AS) und einer Randstruktur (RS). Eine Vielzahl von ersten und zweiten Rand-Kompensationsgebieten (2 und 3) sind hierbei derart in der Randstruktur ausgebildet, dass die zweiten Rand-Kompensationsgebiete (3) vollständig von Ladungsträgern ausgeräumt werden und eine Kompensationsfeldstärke in der Randstruktur (RS) geringer ist als eine Kompensationsfeldstärke in einer aktiven Struktur (AS) des Halbleiterbauelements.
56Entgegenhaltungen/ZitateCT EP000001011146A1 (EP 10 11 146 A1)
43ErstveröffentlichungstagEVT27.06.2002
Anzahl der Bescheide 1
Anzahl der Erwiderungen 1
Erstmalige Übernahme in DPMAregisterEREGT27.05.2011
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT26.01.2016
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)27.05.2011; 10.02.2013; 26.01.2016
Verfahrensdaten
Nr. Verfahrensart Verfahrensstand Verfahrensstandstag Verfahrensstandstag aufsteigend sortiert Erstveröffentlichungstag Alle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 08.12.2000   Details anzeigen
2 Prüfungsverfahren Prüfungsantrag wirksam gestellt 08.12.2000   Details anzeigen
3 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 29.03.2001   Details anzeigen
4 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 04.04.2001   Details anzeigen
5 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 19.12.2001   Details anzeigen
6 Publikationen Offenlegungsschrift 27.06.2002 27.06.2002 Details anzeigen
7 Verwaltungsverfahren Die Anmeldung gilt als zurückgenommen wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr/das Schutzrecht ist wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr erloschen 01.07.2003 09.10.2003 Details anzeigen