Registerauskunft Patent

Aktenzeichen DE: 100 51 909.1 (Status: nicht anhängig/erloschen, Stand am: 5. Mai 2024)

Stammdaten
INIDKriteriumFeldInhalt
SchutzrechtsartSARTPatent
StatusSTNicht anhängig/erloschen
21Aktenzeichen DEDAKZ100 51 909.1
54Bezeichnung/TitelTIRandabschluss für Hochvolt-Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines Isolationstrenches in einem Halbleiterkörper für solchen Randabschluss
51IPC-HauptklasseICM
(ICMV)
H01L 29/06 (2006.01)
22Anmeldetag DEDAT19.10.2000
43OffenlegungstagOT16.05.2002
Veröffentlichungstag der ErteilungPET22.03.2007
71/73Anmelder/InhaberINHInfineon Technologies AG, 81669 München, DE
72ErfinderINAhlers, Dirk, 80796 München, DE; Detzel, Thomas, Villach, AT; Friza, Wolfgang, Villach, AT; Rüb, Michael, Faak, AT
10Veröffentlichte DE-DokumenteDEPNOriginaldokument: DE000010051909A1
Recherchierbarer Text: DE000010051909A1
Originaldokument: DE000010051909B4
Recherchierbarer Text: DE000010051909B4
Zustellanschrift Infineon Technologies AG Intellectual Property, 80506 München, DE
Zuständige Patentabteilung 33
57ZusammenfassungABDie Erfindung betrifft einen Randabschluss für ein Hochvolt-Halbleiterbauelement, bei dem der Ort der Krümmung und Verdichtung von Äquipotentiallinien (9) in ein vertikal verlaufendes Isolatorgebiet (6) verlegt ist. Außerdem bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Isolatorgebietes (6) durch Ätzen, thermisches Oxidieren und Verfüllen von wenigstens zwei Gräben (10').
56Entgegenhaltungen/ZitateCT DE000019531369A1 (DE 195 31 369 A1)
DE000003825547A1 (DE 38 25 547 A1)
DE000069005805T2 (DE 690 05 805 T2)
US000005714396A (US 57 14 396 A)
US000005486718A (US 54 86 718 A)
US000005266831A (US 52 66 831 A)
US000005113237A (US 51 13 237 A)
US000004927772A (US 49 27 772 A)
EP000000436171B1 (EP 04 36 171 B1)
WO002000038242A1 (WO 00 38 242 A1)
43ErstveröffentlichungstagEVT16.05.2002
Anzahl der Bescheide 2
Anzahl der Erwiderungen 2
Erstmalige Übernahme in DPMAregisterEREGT26.05.2011
Tag der (letzten) Aktualisierung in DPMAregisterREGT07.01.2024
(alle Aktualisierungstage einblenden)(alle Aktualisierungstage ausblenden)26.05.2011; 19.07.2011; 05.11.2011; 13.01.2012; 06.11.2012; 10.01.2013; 09.11.2013; 15.01.2014; 13.11.2014; 14.01.2015; 11.11.2015; 15.01.2016; 13.01.2017; 19.06.2018; 26.07.2018; 07.01.2024
Verfahrensdaten
Nr. Verfahrensart Verfahrensstand Verfahrensstandstag Verfahrensstandstag aufsteigend sortiert Erstveröffentlichungstag Alle Details anzeigen
1 Vorverfahren Die Anmeldung befindet sich in der Vorprüfung 19.10.2000   Details anzeigen
2 Prüfungsverfahren Prüfungsantrag wirksam gestellt 19.10.2000   Details anzeigen
3 Vorverfahren Das Vorverfahren ist abgeschlossen 28.02.2001   Details anzeigen
4 Publikationen Offenlegungsschrift 16.05.2002 16.05.2002 Details anzeigen
5 Klassifikationsänderung Änderung der IPC-Hauptklasse 17.10.2005   Details anzeigen
6 Prüfungsverfahren Erwiderung auf Prüfungsbescheid 10.01.2006   Details anzeigen
7 Prüfungsverfahren Erteilungsbeschluss durch Prüfungsstelle/Patentabteilung 27.10.2006   Details anzeigen
8 Publikationen Patentschrift 22.03.2007 22.03.2007 Details anzeigen
9 Prüfungsverfahren Patent rechtskräftig erteilt 22.06.2007 20.09.2007 Details anzeigen
10 Verwaltungsverfahren Die Anmeldung gilt als zurückgenommen wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr/das Schutzrecht ist wegen Nichtzahlung der Jahresgebühr erloschen 01.05.2018 26.07.2018 Details anzeigen